公开(公告)号：CN101107205A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002604.3

申请日：2006-01-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 四方邦英 ,  王雨丛 ,  濑野裕明 ,  鬼塚修吾

IPC: C04B35/119

Abstract: 本发明的复合陶瓷，由长宽比为3以下的块状的氧化铝结晶相(A)、长宽比为3以下的块状的氧化锆结晶相(B)、及含有碱土类金属和铝元素的复合氧化物的长宽比比3小大的柱状晶(C)构成。这种复合陶瓷，弯曲强度、韧性优异，硬度也高，此外耐热水性也优异，耐热劣化试验后的抗折强度也高。

公开(公告)号：CN100522870C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680002604.3

申请日：2006-01-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 四方邦英 ,  王雨丛 ,  濑野裕明 ,  鬼塚修吾

IPC: C04B35/119

Abstract: 本发明的复合陶瓷，由长宽比为3以下的块状的氧化铝结晶相(A)、长宽比为3以下的块状的氧化锆结晶相(B)、及含有碱土类金属和铝元素的复合氧化物的长宽比比3小大的柱状晶(C)构成。这种复合陶瓷，弯曲强度、韧性优异，硬度也高，此外耐热水性也优异，耐热劣化试验后的抗折强度也高。

公开(公告)号：CN101535213B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200780041510.1

申请日：2007-11-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中泽秀司 ,  王雨丛 ,  秋山雅英 ,  源通拓哉 ,  须惠敏幸

IPC: G11B5/60 ,  G11B21/21 ,  C04B35/10 ,  C04B35/565

CPC classification number: G11B5/58 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6082 ,  Y10T428/1157

Abstract: 悬浮量为10nm以下的范围时，使悬浮面的表面平滑性受到重视，为了得到此悬浮面，必须使用平均粒径0.1μm以下的小的金刚石磨粒进行研磨，因此现有的陶瓷烧结体机械加工性差，由该陶瓷烧结体制作的磁头不能对应10nm以下的悬浮量。一种具有Al2O3晶粒、存在于该Al2O3晶粒的内部的内部TiC晶粒、和所述内部TiC晶粒以外的外部TiC晶粒的陶瓷烧结体。在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒中，烧结后会分别留有因热膨胀系数的差异而引起的应力，从而在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒的界面成为互相牵拉的状态，若实施机械加工，则除了该机械加工造成的剪切力以外，再加上残留应力，在界面发生的微裂纹很容易扩展，因此机械加工性良好。

公开(公告)号：CN101689374B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200880021589.6

申请日：2008-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 王雨丛 ,  中泽秀司 ,  中尾裕也 ,  源通拓哉 ,  堀内伸起

IPC: G11B5/60 ,  C04B35/111 ,  G11B5/31 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6011 ,  Y10T428/1157

Abstract: 本发明提供一种磁头用基板，该磁头用基板包括Al2O3为60质量％以上且70质量％以下的范围、TiC为30质量％以上且40质量％以下的范围的烧结体。在磁头用基板7、7’中，在烧结体的截面的任意10μm以上的直线上存在的TiC晶粒的个数的比率相对于在所述直线上存在的TiC晶粒的个数及Al2O3晶粒的个数的合计为55％以上且75％以下。本发明还提供一种能够从所述磁头用基板得到的磁头及具有所述磁头的记录介质驱动装置。

公开(公告)号：CN101535213A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041510.1

申请日：2007-11-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中泽秀司 ,  王雨丛 ,  秋山雅英 ,  源通拓哉 ,  须惠敏幸

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/565 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/58 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6082 ,  Y10T428/1157

Abstract: 悬浮量为10nm以下的范围时，使悬浮面的表面平滑性受到重视，为了得到此悬浮面，必须使用平均粒径0.1μm以下的小的金刚石磨粒进行研磨，因此现有的陶瓷烧结体机械加工性差，由该陶瓷烧结体制作的磁头不能对应10nm以下的悬浮量。一种具有Al2O3晶粒、存在于该Al2O3晶粒的内部的内部TiC晶粒、和所述内部TiC晶粒以外的外部TiC晶粒的陶瓷烧结体。在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒中，烧结后会分别留有因热膨胀系数的差异而引起的应力，从而在Al2O3晶粒和外部TiC晶粒的界面成为互相牵拉的状态，若实施机械加工，则除了该机械加工造成的剪切力以外，再加上残留应力，在界面发生的微裂纹很容易扩展，因此机械加工性良好。

公开(公告)号：CN112739661A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980062131.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 王雨丛

IPC: C04B35/119 ,  H01B3/12 ,  H05B3/14

Abstract: 本发明的氧化铝质陶瓷含有氧化铝结晶粒子、氧化锆结晶粒子以及Ti、Mg和Si，关于Ti、Mg和Si的合计的含量，将Ti作为TiO2换算，Mg作为MgO换算，Si作为SiO2换算时，为1.4质量％以上，氧化锆结晶粒子中，将构成氧化锆结晶粒子的氧化锆表示为ZrO2时，相对于ZrO2的稀土元素的含量，以氧化物换算为2mol％以下，氧化锆结晶粒子中含有最大长度为1μm以上的单独粒子和最大长度为1μm以上的凝聚粒子中的至少一种，最大长度为1μm以上的所述单独粒子和最大长度为1μm以上的凝聚粒子的比率的合计，是氧化锆结晶粒子全体的50体积％以上。

公开(公告)号：CN110662728A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201880033185.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 王雨丛 ,  佐藤政宏 ,  口町和一

IPC: C04B35/581 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的氮化铝质烧结体(1)包含含有Mg的氮化铝的晶体颗粒(2)；具有石榴石型的晶体结构且含有稀土类元素和Al的复合氧化物；以及含有Mg和Al的复合氮氧化物。在氮化铝的晶体颗粒(2)间散布有复合氧化物的颗粒(3)和复合氮氧化物的颗粒(4)。复合氧化物可以含有Y。将氮化铝的晶体颗粒(2)所包含的全部金属元素设为100mol％时，氮化铝的晶体颗粒(2)的Mg的含量可以为0.1mol％以上且1.0mol％以下。本发明的半导体保持装置具备该氮化铝质烧结体(1)和静电吸附用电极(13)。

公开(公告)号：CN101689374A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021589.6

申请日：2008-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 王雨丛 ,  中泽秀司 ,  中尾裕也 ,  源通拓哉 ,  堀内伸起

IPC: G11B5/60 ,  C04B35/111 ,  G11B5/31 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6011 ,  Y10T428/1157

Abstract: 本发明提供一种磁头用基板，该磁头用基板包括Al 2 O 3 为60质量％以上且70质量％以下的范围、TiC为30质量％以上且40质量％以下的范围的烧结体。在磁头用基板7、7’中，在烧结体的截面的任意10μm以上的直线上存在的TiC晶粒的个数的比率相对于在所述直线上存在的TiC晶粒的个数及Al 2 O 3 晶粒的个数的合计为55％以上且75％以下。本发明还提供一种能够从所述磁头用基板得到的磁头及具有所述磁头的记录介质驱动装置。