公开(公告)号：CN102870224B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180020811.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 浅尾英章 ,  鎌田塁 ,  笠井修一 ,  小栗诚司 ,  田中勇 ,  堀内伸起 ,  梅里计匡

IPC: H01L31/046 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。

公开(公告)号：CN101689374B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200880021589.6

申请日：2008-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 王雨丛 ,  中泽秀司 ,  中尾裕也 ,  源通拓哉 ,  堀内伸起

IPC: G11B5/60 ,  C04B35/111 ,  G11B5/31 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6011 ,  Y10T428/1157

Abstract: 本发明提供一种磁头用基板，该磁头用基板包括Al2O3为60质量％以上且70质量％以下的范围、TiC为30质量％以上且40质量％以下的范围的烧结体。在磁头用基板7、7’中，在烧结体的截面的任意10μm以上的直线上存在的TiC晶粒的个数的比率相对于在所述直线上存在的TiC晶粒的个数及Al2O3晶粒的个数的合计为55％以上且75％以下。本发明还提供一种能够从所述磁头用基板得到的磁头及具有所述磁头的记录介质驱动装置。

公开(公告)号：CN102318077B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201080007927.8

申请日：2010-09-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 镰田垒 ,  中泽秀司 ,  堀内伸起 ,  久保新太郎 ,  宫道祐介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。

公开(公告)号：CN101689374A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021589.6

申请日：2008-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 王雨丛 ,  中泽秀司 ,  中尾裕也 ,  源通拓哉 ,  堀内伸起

IPC: G11B5/60 ,  C04B35/111 ,  G11B5/31 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3106 ,  G11B5/102 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6011 ,  Y10T428/1157

Abstract: 本发明提供一种磁头用基板，该磁头用基板包括Al 2 O 3 为60质量％以上且70质量％以下的范围、TiC为30质量％以上且40质量％以下的范围的烧结体。在磁头用基板7、7’中，在烧结体的截面的任意10μm以上的直线上存在的TiC晶粒的个数的比率相对于在所述直线上存在的TiC晶粒的个数及Al 2 O 3 晶粒的个数的合计为55％以上且75％以下。本发明还提供一种能够从所述磁头用基板得到的磁头及具有所述磁头的记录介质驱动装置。

公开(公告)号：CN102870224A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020811.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 浅尾英章 ,  鎌田塁 ,  笠井修一 ,  小栗诚司 ,  田中勇 ,  堀内伸起 ,  梅里计匡

IPC: H01L31/04

Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。

公开(公告)号：CN102318077A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007927.8

申请日：2010-09-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 镰田垒 ,  中泽秀司 ,  堀内伸起 ,  久保新太郎 ,  宫道祐介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。