公开(公告)号：CN102318077B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201080007927.8

申请日：2010-09-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 镰田垒 ,  中泽秀司 ,  堀内伸起 ,  久保新太郎 ,  宫道祐介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。

公开(公告)号：CN102318077A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007927.8

申请日：2010-09-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 镰田垒 ,  中泽秀司 ,  堀内伸起 ,  久保新太郎 ,  宫道祐介

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。