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公开(公告)号：CN102652367B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN114207194B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202080053214.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C30B29/06 , C30B11/14 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/068
Abstract: 锭具有第1面、位于与该第1面相反侧的第2面、以连接第1面和第2面的状态沿着从第2面朝向第1面的第1方向设置的第3面。该锭具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括1个以上类单晶区域的第1中间区域、第2类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域的宽度和第2类单晶区域的宽度，分别大于第1中间区域的宽度。第1类单晶区域与第1中间区域的第1边界具有重位点阵晶界。第2类单晶区域与第1中间区域的第2边界具有重位点阵晶界。第1边界和第2边界之中的至少一个边界，在与第1方向垂直的假想的截面中弯曲。
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公开(公告)号：CN109997231A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201780067492.8
申请日：2017-10-31
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/043 , H01L31/048
Abstract: 太阳能电池模块具备第1板部、第2板部、太阳能电池部以及多条布线件。第1板部具有以相互朝向相反方向的状态设置的第1面和第2面。第2板部具有以与第2面对置的状态设置的第3面和以朝向与该第3面相反方向的状态设置的第4面。太阳能电池部位于第1板部与第2板部的间隙。多条布线件以与太阳能电池部电连接的状态设置。第1板部以及第2板部当中至少一方具有对特定范围的波长的光的透光性。多条布线件的至少1条布线件，在俯视观察第2板部的情况下沿着在沿第2板部的一边的一部分以第1板部为基准缺失的缺口部设置成从间隙内到间隙外。
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公开(公告)号：CN114207194A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080053214.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C30B29/06 , C30B11/14 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/068
Abstract: 锭具有第1面、位于与该第1面相反侧的第2面、以连接第1面和第2面的状态沿着从第2面朝向第1面的第1方向设置的第3面。该锭具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括1个以上类单晶区域的第1中间区域、第2类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域的宽度和第2类单晶区域的宽度，分别大于第1中间区域的宽度。第1类单晶区域与第1中间区域的第1边界具有重位点阵晶界。第2类单晶区域与第1中间区域的第2边界具有重位点阵晶界。第1边界和第2边界之中的至少一个边界，在与第1方向垂直的假想的截面中弯曲。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102870224B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180020811.2
申请日：2011-05-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/046 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。
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公开(公告)号：CN102893410A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180018806.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/142 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0384 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。
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公开(公告)号：CN102859713A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020804.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种光吸收层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）具有包含黄铜矿系化合物半导体和氧的光吸收层（3）。光吸收层（3）的内部具有空洞（3a）。空洞（3a）附近的氧原子浓度高于光吸收层（3）中的平均氧原子浓度。
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公开(公告)号：CN102652367A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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