公开(公告)号：CN102652367B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201180004700.2

申请日：2011-01-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小栗诚司 ,  武田启三 ,  山田光一郎 ,  谷川康太郎 ,  田中勇 ,  笹森理一 ,  小川浩充

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN102652367A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201180004700.2

申请日：2011-01-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小栗诚司 ,  武田启三 ,  山田光一郎 ,  谷川康太郎 ,  田中勇 ,  笹森理一 ,  小川浩充

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN102362339B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080012699.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻井诚一郎 ,  大川佳英 ,  田中勇 ,  山田光一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。

公开(公告)号：CN102362339A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080012699.3

申请日：2010-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻井诚一郎 ,  大川佳英 ,  田中勇 ,  山田光一郎

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。