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公开(公告)号：CN101336567A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052002.9
申请日：2006-12-26
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2251/566
Abstract: 一种EL装置，能够很好地防止在保护膜上产生的裂纹扩展到基板内侧的元件形成区域。这种EL装置，包括形成四边形状的基板、设置在基板的上表面侧并具有有机发光元件的元件形成区域、设置在元件形成区域和基板的端部之间的区域的凸部、被覆在从元件形成区域到基板的端部的区域内并覆盖在凸部上而形成的保护膜，凸部沿着基板的4边中的至少2边形成大致条状。
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公开(公告)号：CN102652367B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN101336567B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680052002.9
申请日：2006-12-26
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2251/566
Abstract: 一种EL装置，能够很好地防止在保护膜上产生的裂纹扩展到基板内侧的元件形成区域。这种EL装置，包括形成四边形状的基板、设置在基板的上表面侧并具有有机发光元件的元件形成区域、设置在元件形成区域和基板的端部之间的区域的凸部、被覆在从元件形成区域到基板的端部的区域内并覆盖在凸部上而形成的保护膜，凸部沿着基板的4边中的至少2边形成大致条状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119731136A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380063674.3
申请日：2023-09-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B41/87 , C23C16/34
Abstract: 陶瓷构造体具有：第一层，其具有第一晶体粒子；以及第二层，其位于第一层之上且具有第二晶体粒子。第一晶体粒子及第二晶体粒子分别含有选自Al、Si、Ti、Cr、Zr及Y中的1种以上的金属元素以及选自N、C及B中的1种以上的非金属元素。第一晶体粒子及第二晶体粒子是相同的化合物。在将第一层的X射线衍射中的第一晶体粒子的最大强度的密勒指数的峰值的半值宽度设为W1、将第二层的X射线衍射中的第二晶体粒子的与密勒指数相同的峰值的半值宽度设为W2的情况下，9×W1＞W2＞W1。
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公开(公告)号：CN108292689A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069323.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0352
Abstract: 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。
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公开(公告)号：CN102652367A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201180004700.2
申请日：2011-01-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式的半导体层的制造方法具备：准备第一化合物的工序、准备第二化合物的工序、制作半导体层形成用溶液的工序、和采用该半导体层形成用溶液制作含有I-III-VI族化合物的半导体层的工序。所述第一化合物含有：第一含有硫族元素的有机化合物、第一路易斯碱、I-B族元素和第一III-B族元素。另外，所述第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。另外，所述半导体层形成用溶液含有所述第一化合物、所述第二化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN108292689B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201680069323.3
申请日：2016-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0352
Abstract: 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。
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公开(公告)号：CN101853875A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010004476.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2251/566
Abstract: 一种EL装置，能够很好地防止在保护膜上产生的裂纹扩展到基板内侧的元件形成区域。这种EL装置，包括形成四边形状的基板、设置在基板的上表面侧并具有有机发光元件的元件形成区域、设置在元件形成区域和基板的端部之间的区域的凸部、被覆在从元件形成区域到基板的端部的区域内并覆盖在凸部上而形成的保护膜，凸部沿着基板的4边中的至少2边形成大致条状。
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