公开(公告)号：CN108292689A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069323.3

申请日：2016-11-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻井诚一郎 ,  齐藤政志 ,  小川浩充

IPC: H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0352

Abstract: 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。

公开(公告)号：CN108292689B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201680069323.3

申请日：2016-11-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 稻井诚一郎 ,  齐藤政志 ,  小川浩充

IPC: H01L31/0352

Abstract: 本申请的光电转换膜具有：多个半导体纳米粒子(1a)、以及设置在该半导体纳米粒子(1a)的周围的基质相(3)，基质相(3)包含有机分子聚合物(5)与无机质材料(7)的复合体(9)作为主相。光电转换装置是在玻璃基板(21)上依次层叠透明导电膜(19)、包含上述光电转换膜的光电转换层(15)、半导体基板(11)和电极层(17)而构成的。