公开(公告)号：CN117730070A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280050236.9

申请日：2022-07-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫田拓实 ,  上野隆宽 ,  饭田修一 ,  丰田谕史

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/117

Abstract: 本公开的陶瓷构件具有由陶瓷构成的基体。基体在基体的表面部具有硼含有层，该硼含有层含有比所述基体的内部的硼含量多的硼。

公开(公告)号：CN114929647B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202080092101.X

申请日：2020-12-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 菊地健太郎 ,  上野隆宽 ,  丰田谕史

IPC: C04B35/117

公开(公告)号：CN119731136A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380063674.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 饭田真美 ,  岛康平 ,  丰田谕史 ,  小川浩充

IPC: C04B35/581 ,  C04B41/87 ,  C23C16/34

Abstract: 陶瓷构造体具有：第一层，其具有第一晶体粒子；以及第二层，其位于第一层之上且具有第二晶体粒子。第一晶体粒子及第二晶体粒子分别含有选自Al、Si、Ti、Cr、Zr及Y中的1种以上的金属元素以及选自N、C及B中的1种以上的非金属元素。第一晶体粒子及第二晶体粒子是相同的化合物。在将第一层的X射线衍射中的第一晶体粒子的最大强度的密勒指数的峰值的半值宽度设为W1、将第二层的X射线衍射中的第二晶体粒子的与密勒指数相同的峰值的半值宽度设为W2的情况下，9×W1＞W2＞W1。

公开(公告)号：CN118843612A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026432.7

申请日：2023-03-16

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫田拓实 ,  上野隆宽 ,  丰田谕史

IPC: C04B35/119

Abstract: 耐热构件是一种烧结体，该烧结体含有包含氧化锆的第一晶体、和含量比第一晶体多的第二晶体。在烧结体的至少表面区域，第一晶体含有单斜晶和四方晶。在X射线衍射分析中，单斜晶的主峰强度大于四方晶的主峰强度。

公开(公告)号：CN116438151A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180074522.4

申请日：2021-11-05

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 菊地健太郎 ,  上野隆宽 ,  宫田拓实 ,  丰田谕史

IPC: C04B41/86

Abstract: 本发明的带釉层的陶瓷结构体(1)具有由陶瓷构成的基体(2)、和位于基体(2)之上的釉层(3)。基体(2)包括：包含与釉层(3)的界面在内的第一区域(R1)、和与第一区域(R1)相比距釉层(3)远的第二区域(R2)。第一区域(R1)的晶粒直径，小于第二区域(R2)的晶粒直径。

公开(公告)号：CN113302169A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009036.X

申请日：2020-01-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 菊地健太郎 ,  丰田谕史 ,  上野隆宽 ,  竹之下英博

IPC: C04B35/101

Abstract: 本发明的耐热构件由氧化铝质陶瓷形成，所述氧化铝质陶瓷含有氧化铝晶体和包含Si、Ca、Mg及O的玻璃，内部中的玻璃所占的面积比率比表面部的玻璃所占的面积比率多。

公开(公告)号：CN111732420A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010218984.6

申请日：2020-03-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 菊地健太郎 ,  丰田谕史 ,  上野隆宽 ,  竹之下英博

IPC: C04B35/10

Abstract: 技术问题本公开提供了一种具有优异的耐热冲击性的耐热构件。技术方案本公开的耐热构件含有多个氧化铝晶体和多个氧化锆晶体，在构成的全部成分100质量％中，Al的含量以Al2O3换算计为50质量％以上且84质量％以下，Zr的含量以ZrO2换算计为5质量％以上且20质量％以下，多个所述氧化锆晶体的至少一个具有：具有第一片层结构的第一区域；以及具有第二片层结构的第二区域，所述第一片层结构具有沿着第一方向延伸并沿着与所述第一方向相交的第二方向排列的多个层，所述第二片层结构具有沿着与所述第二方向相交的第三方向延伸并沿着与所述第三方向相交的第四方向(D4)排列的多个层。

公开(公告)号：CN103492346A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019702.3

申请日：2012-04-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 丰田谕史 ,  竹之下英博 ,  小松刚士

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01P1/20 ,  H01P7/10 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01P7/10 ,  C01G25/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1245

Abstract: 提供一种采用不含有稀土类的材料、具有40～46的相对介电常数εr、且使Qf值提高的介电陶瓷及具备其的介质滤波器。介电陶瓷由在组成式表示为αZrO2·βTiO2·γZnO·δNb2O5时，摩尔比α、β、γ、δ满足0.3000≤α≤0.5500、0.3300≤β≤0.6000、0.0108≤γ≤0.0717、0.0193≤δ≤0.1283、α+β+γ+δ＝1及0.5

公开(公告)号：CN101868431A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117165.X

申请日：2008-11-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 丰田谕史 ,  村川俊一

IPC: C04B35/00 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1209 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9623 ,  H01G4/10

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷，其具有组成式aBaO·bCoO·cZnO·dNb2O5的系数a、b、c及d满足：0.498≤a＜0.500、0.066≤b≤0.132、0.033≤c≤0.099、0.335≤d≤0.338的结晶。另外，提供一种电介质陶瓷，其具有包含BaO、CoO、ZnO及Nb2O5的结晶，且X射线衍射图中的存在于2θ＝18°附近的结晶峰值IA和存在于2θ＝31°附近的结晶峰值IB的峰值强度比IA/IB为0.003以上。还提供一种谐振器，其使用所述电介质陶瓷作为电介质。

公开(公告)号：CN115867493A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180045950.4

申请日：2021-06-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 上野隆宽 ,  菊地健太郎 ,  丰田谕史

IPC: B65D1/00

Abstract: 本公开的耐热容器(1)具备构成侧壁的第一壁部(10)、以及构成上壁或底壁的第二壁部(20)。第一壁部(10)及第二壁部(20)由陶瓷构成。第一壁部(10)在内部具有多个气孔。而且，在将第一壁部(10)的截面中的、与第一壁部(10)的壁面正交且与第一壁部(10)的高度方向平行的截面中的气孔率设为Pr1，并且将第一壁部(10)的截面中的、与第一壁部(10)的壁面正交且与第一壁部(10)的宽度方向平行的截面中的气孔率设为Pr2时，气孔率Pr1比气孔率Pr2小。