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公开(公告)号:CN103180262A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180050843.7
申请日:2011-10-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/195 , H01L21/683
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/195 , C04B35/505 , C04B35/62685 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/6565 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661
Abstract: 本发明提供热膨胀系数小、机械强度优异的堇青石质陶瓷及使用其的半导体制造装置用部件。所述堇青石质陶瓷中,相对于具有以氧化物换算量计含有Mg12.6质量%以上且14.0质量%以下、以氧化物换算量计含有Al33.4质量%以上且34.4质量%以下、及以氧化物换算量计含有Si52.0质量%以上且53.6质量%以下的组成范围的主成分100质量%,含有换算成氧化物时为4.5质量%以上且15.0质量%以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一种作为副成分,并且堇青石、二硅酸盐及尖晶石作为晶相存在。该堇青石质陶瓷的热膨胀系数在±120ppb/℃的范围内,四点弯曲强度为170MPa以上,具有低热膨胀性及优异的机械强度。
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