公开(公告)号：CN103718305B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280037684.1

申请日：2012-07-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤顺平 ,  京田豪 ,  小柏阳平 ,  名合佑介

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02245 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种使输出特性提高的太阳能电池元件及太阳能电池模块。本实施方式涉及的太阳能电池元件具备：具有第一面（1F）及该第一面的背面的第二面（1S）的第一导电型的半导体基板（1）；具有位于所述第一面（1S）上的第一层（2a）及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述第一层连续且位于所述第二面（1F）上的第二层（2b）的第二导电型的半导体层（2）；具有位于所述第一层（2a）上的主电极部（4a）及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述主电极部电连接且位于所述第二层（2b）上的第一输出取出部（4c）的第一电极（4）；位于所述第二面中的未配置所述第二层（2b）的部分的第二电极（5）。并且，在上述太阳能电池元件中，所述第二层（2b）的方块电阻比所述第一层（2a）的方块电阻大。

公开(公告)号：CN114207194A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080053214.9

申请日：2020-07-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小柏阳平 ,  小栗诚司 ,  竹之下健

IPC: C30B29/06 ,  C30B11/14 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

Abstract: 锭具有第1面、位于与该第1面相反侧的第2面、以连接第1面和第2面的状态沿着从第2面朝向第1面的第1方向设置的第3面。该锭具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括1个以上类单晶区域的第1中间区域、第2类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域的宽度和第2类单晶区域的宽度，分别大于第1中间区域的宽度。第1类单晶区域与第1中间区域的第1边界具有重位点阵晶界。第2类单晶区域与第1中间区域的第2边界具有重位点阵晶界。第1边界和第2边界之中的至少一个边界，在与第1方向垂直的假想的截面中弯曲。

公开(公告)号：CN114207194B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202080053214.9

申请日：2020-07-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小柏阳平 ,  小栗诚司 ,  竹之下健

IPC: C30B29/06 ,  C30B11/14 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

Abstract: 锭具有第1面、位于与该第1面相反侧的第2面、以连接第1面和第2面的状态沿着从第2面朝向第1面的第1方向设置的第3面。该锭具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括1个以上类单晶区域的第1中间区域、第2类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域的宽度和第2类单晶区域的宽度，分别大于第1中间区域的宽度。第1类单晶区域与第1中间区域的第1边界具有重位点阵晶界。第2类单晶区域与第1中间区域的第2边界具有重位点阵晶界。第1边界和第2边界之中的至少一个边界，在与第1方向垂直的假想的截面中弯曲。

公开(公告)号：CN114127343A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051197.5

申请日：2020-07-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小柏阳平

IPC: C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/068

Abstract: 锭具有第1面、其相反侧的第2面和沿第1方向连接第1面和第2面的第3面，具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括类单晶区域的第1中间区域和第2类单晶区域，在与第1方向垂直且与第2方向交叉的第3方向上依次邻接的，第1类单晶区域、包括类单晶区域的第2中间区域和第3类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域和第2类单晶区域分别比第1中间区域的宽度大。在第3方向上，第1类单晶区域和第3类单晶区域比第2中间区域的宽度大。第1类单晶区域和第2类单晶区域与第1中间区域的各边界，以及第1类单晶区域和第3类单晶区域与第2中间区域的各边界，具有重位点阵晶界。

公开(公告)号：CN103718305A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037684.1

申请日：2012-07-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐藤顺平 ,  京田豪 ,  小柏阳平 ,  名合佑介

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02245 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种使输出特性提高的太阳能电池元件及太阳能电池模块。本实施方式涉及的太阳能电池元件具备：具有第一面（1F）及该第一面的背面的第二面（1S）的第一导电型的半导体基板（1）；具有位于所述第一面（1S）上的第一层（2a）及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述第一层连续且位于所述第二面（1F）上的第二层（2b）的第二导电型的半导体层（2）；具有位于所述第一层（2a）上的主电极部（4a）及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述主电极部电连接且位于所述第二层（2b）上的第一输出取出部（4c）的第一电极（4）；位于所述第二面中的未配置所述第二层（2b）的部分的第二电极（5）。并且，在上述太阳能电池元件中，所述第二层（2b）的方块电阻比所述第一层（2a）的方块电阻大。