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公开(公告)号：CN107360731A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201680007452.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN107360731B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201680007452.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN109673170A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201780046035.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层和电极。半导体基板具有第一面及位于该第一面的背侧的第二面。钝化层位于半导体基板的第二面上。电极位于钝化层上，且以与半导体基板电连接的状态存在。电极具有线状电极部，该线状电极部在从第二面侧对半导体基板进行俯视透视时沿着半导体基板的周缘部存在且以在厚度方向上将钝化层贯通的状态存在。
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公开(公告)号：CN109673170B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201780046035.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层和电极。半导体基板具有第一面及位于该第一面的背侧的第二面。钝化层位于半导体基板的第二面上。电极位于钝化层上，且以与半导体基板电连接的状态存在。电极具有线状电极部，该线状电极部在从第二面侧对半导体基板进行俯视透视时沿着半导体基板的周缘部存在且以在厚度方向上将钝化层贯通的状态存在。
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公开(公告)号：CN107078177A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048834.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池元件具备：硅基板(1)，在一主面具有多个凹陷部(11)；钝化层(9)，配置在硅基板(1)的所述一主面上，在与凹陷部(11)对应的部位具有孔部(91)；第1导体部(13)，配置于钝化层(9)的孔部(91)；电极，配置在钝化层(9)上，与第1导体部(13)连接，且含有铝；第2导体部(14)，配置在硅基板(1)的凹陷部(11)内，并且分别与硅基板(1)及第1导体部(13)连接，且含有铝和硅；以及空隙部(12)，位于硅基板(1)的凹陷部(11)内，且未配置第2导体部(14)。
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公开(公告)号：CN102334193A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009244.6
申请日：2010-06-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10T29/5313
Abstract: 提供一种光电转换元件的制造方法、光电转换元件的制造装置及光电转换元件。本发明的光电转换元件的制造方法的一实施方式具备：对在一对第一及第二电极间具有包括半导体层的光电转换体的构造体确定物性异常部位的确定工序以及通过机械加工分离所述物性异常部位的分离工序。
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公开(公告)号：CN102246316B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080003522.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。
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公开(公告)号：CN102246316A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201080003522.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。
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公开(公告)号：CN111492492A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880077215.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层、保护层以及电极层。钝化层位于半导体基板的第1面之上。保护层位于钝化层之上。电极层位于保护层之上，包括玻璃成分。保护层具有位于电极层侧的面的多个凸状部。该多个凸状部分别在电极层侧具有凹状部分。玻璃成分位于该凹状部分的内部空间。
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公开(公告)号：CN109844959A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780060259.7
申请日：2017-09-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层、保护层以及背面电极。半导体基板具有第1表面以及朝向与该第1表面相反的方向的第2表面。钝化层位于第2表面上。保护层位于钝化层上。背面电极位于保护层上。背面电极经由将保护层以及钝化层贯通的一个以上的孔部与半导体基板电连接。保护层具有第1区域以及处于包围该第1区域的位置的第2区域，该第1区域表现出厚度随着远离孔部的内缘部而增加的倾向。离第1区域的内缘部最远的位置与内缘部之间的距离大于第2区域的厚度。背面电极在第1区域上表现出厚度随着远离内缘部而减少的倾向。
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