公开(公告)号：CN102246316B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201080003522.7

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西村太佑 ,  菅原利文 ,  西浦宪 ,  松岛德彦 ,  猪股洋介 ,  有宗久雄 ,  上杉刚志

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。

公开(公告)号：CN102246316A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201080003522.7

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西村太佑 ,  菅原利文 ,  西浦宪 ,  松岛德彦 ,  猪股洋介 ,  有宗久雄 ,  上杉刚志

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。