公开(公告)号：CN102132419B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080002412.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 旗手淳雄 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件(20)，其具备，第一电极层(2)及第二电极层(8)，其相互隔开间隔地配置；第一半导体层(3)，其位于所述第一电极层(2)上，且具有第一导电型；第二半导体层(4)，其位于所述第一半导体层(3)上，且具有与所述第一半导体层(3)进行pn接合的第二导电型；连接部(7)，其将所述第二半导体层(4)和所述第二电极层(8)电连接；多个集电电极，其具有从所述连接部(7)上向所述第二半导体层(4)上的所述第二半导体层(4)的端部延伸的线状部(6)、在上面透视下至少一部分与所述连接部(7)重叠且从所述线状部(6)的短方向的两端部的至少一方突出的突出部(9)，所述多个集电电极中的邻接的两个集电电极各自的突出部(9)彼此相互隔离。

公开(公告)号：CN102334193A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009244.6

申请日：2010-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松岛德彦 ,  西村太佑 ,  旗手淳雄 ,  大隈丈司 ,  有宗久雄 ,  桥本由佳理

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/5313

Abstract: 提供一种光电转换元件的制造方法、光电转换元件的制造装置及光电转换元件。本发明的光电转换元件的制造方法的一实施方式具备：对在一对第一及第二电极间具有包括半导体层的光电转换体的构造体确定物性异常部位的确定工序以及通过机械加工分离所述物性异常部位的分离工序。

公开(公告)号：CN101300682A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680041292.7

申请日：2006-11-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈田健一 ,  京田豪 ,  林孝一 ,  富田贤时 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种光电变换装置，在导电性基板(1)的表面上，在表层上形成有第2导电型的半导体部(4)的第1导电型的结晶半导体粒子(2)多个相互隔开间隔而接合在导电性基板(1)，并且在该结晶半导体粒子(2、2)间的导电性基板(1)上形成有绝缘层(3)，透光性导体层(5)形成在绝缘层(3)上以及上述结晶半导体粒子(2)上，进而在该透光性导体层(5)的表面形成有集电极(7)，上述集电极(7)由形成有能使外光照射到上述各结晶半导体粒子(2)的多个贯通孔(40)的导电板构成，上述透光性导体层(5)以及上述集电极(7)上设置有透光性聚光层(8)，因此能够提供一种以简单的工序来抑制电阻损耗，同时消除遮蔽损耗的高效率的光电变换装置。

公开(公告)号：CN102246316B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201080003522.7

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西村太佑 ,  菅原利文 ,  西浦宪 ,  松岛德彦 ,  猪股洋介 ,  有宗久雄 ,  上杉刚志

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。

公开(公告)号：CN102246316A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201080003522.7

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西村太佑 ,  菅原利文 ,  西浦宪 ,  松岛德彦 ,  猪股洋介 ,  有宗久雄 ,  上杉刚志

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。

公开(公告)号：CN102132419A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201080002412.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 旗手淳雄 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件(20)，其具备，第一电极层(2)及第二电极层(8)，其相互隔开间隔地配置；第一半导体层(3)，其位于所述第一电极层(2)上，且具有第一导电型；第二半导体层(4)，其位于所述第一半导体层(3)上，且具有与所述第一半导体层(3)进行pn接合的第二导电型；连接部(7)，其将所述第二半导体层(4)和所述第二电极层(8)电连接；多个集电电极，其具有从所述连接部(7)上向所述第二半导体层(4)上的所述第二半导体层(4)的端部延伸的线状部(6)、在上面透视下至少一部分与所述连接部(7)重叠且从所述线状部(6)的短方向的两端部的至少一方突出的突出部(9)，所述多个集电电极中的邻接的两个集电电极各自的突出部(9)彼此相互隔离。