公开(公告)号：CN102132419B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201080002412.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 旗手淳雄 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件(20)，其具备，第一电极层(2)及第二电极层(8)，其相互隔开间隔地配置；第一半导体层(3)，其位于所述第一电极层(2)上，且具有第一导电型；第二半导体层(4)，其位于所述第一半导体层(3)上，且具有与所述第一半导体层(3)进行pn接合的第二导电型；连接部(7)，其将所述第二半导体层(4)和所述第二电极层(8)电连接；多个集电电极，其具有从所述连接部(7)上向所述第二半导体层(4)上的所述第二半导体层(4)的端部延伸的线状部(6)、在上面透视下至少一部分与所述连接部(7)重叠且从所述线状部(6)的短方向的两端部的至少一方突出的突出部(9)，所述多个集电电极中的邻接的两个集电电极各自的突出部(9)彼此相互隔离。

公开(公告)号：CN102132419A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201080002412.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 旗手淳雄 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件(20)，其具备，第一电极层(2)及第二电极层(8)，其相互隔开间隔地配置；第一半导体层(3)，其位于所述第一电极层(2)上，且具有第一导电型；第二半导体层(4)，其位于所述第一半导体层(3)上，且具有与所述第一半导体层(3)进行pn接合的第二导电型；连接部(7)，其将所述第二半导体层(4)和所述第二电极层(8)电连接；多个集电电极，其具有从所述连接部(7)上向所述第二半导体层(4)上的所述第二半导体层(4)的端部延伸的线状部(6)、在上面透视下至少一部分与所述连接部(7)重叠且从所述线状部(6)的短方向的两端部的至少一方突出的突出部(9)，所述多个集电电极中的邻接的两个集电电极各自的突出部(9)彼此相互隔离。

公开(公告)号：CN102334193A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009244.6

申请日：2010-06-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松岛德彦 ,  西村太佑 ,  旗手淳雄 ,  大隈丈司 ,  有宗久雄 ,  桥本由佳理

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/5313

Abstract: 提供一种光电转换元件的制造方法、光电转换元件的制造装置及光电转换元件。本发明的光电转换元件的制造方法的一实施方式具备：对在一对第一及第二电极间具有包括半导体层的光电转换体的构造体确定物性异常部位的确定工序以及通过机械加工分离所述物性异常部位的分离工序。