公开(公告)号：CN101300682A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680041292.7

申请日：2006-11-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈田健一 ,  京田豪 ,  林孝一 ,  富田贤时 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种光电变换装置，在导电性基板(1)的表面上，在表层上形成有第2导电型的半导体部(4)的第1导电型的结晶半导体粒子(2)多个相互隔开间隔而接合在导电性基板(1)，并且在该结晶半导体粒子(2、2)间的导电性基板(1)上形成有绝缘层(3)，透光性导体层(5)形成在绝缘层(3)上以及上述结晶半导体粒子(2)上，进而在该透光性导体层(5)的表面形成有集电极(7)，上述集电极(7)由形成有能使外光照射到上述各结晶半导体粒子(2)的多个贯通孔(40)的导电板构成，上述透光性导体层(5)以及上述集电极(7)上设置有透光性聚光层(8)，因此能够提供一种以简单的工序来抑制电阻损耗，同时消除遮蔽损耗的高效率的光电变换装置。