公开(公告)号：CN102388465B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080015834.X

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈田健一 ,  中谷典一 ,  小波本直也 ,  上田洋士

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种通过提高半导体基板的内部区域(容积区域)产生的少数载流子的补充的效率，而提高光电转换效率的太阳能电池元件。本实施方式的太阳能电池元件具备：具有一导电型的半导体基板，其具备作为受光面的第一面、位于该第一面的背侧的第二面及将所述第一面和所述第二面连接的侧面；第一pn结区域，其从所述第一面设置成直至所述侧面及所述第二面的外周部；具有所述一导电型的第一电极，其配置在所述第二面上，并与所述第一pn结区域邻接配置；第一槽部，其设置在所述第二面的外周与所述第一电极的端部之间，且沿着所述第二面的外周分离所述第二面的所述第一pn结区域。并且，在从所述第二面侧进行俯视观察时，所述第一电极的所述端部与所述第一槽部的最短距离Q小于所述侧面的所述第一pn结区域的pn结部与所述第一槽部的最短距离P。

公开(公告)号：CN102388465A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015834.X

申请日：2010-09-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈田健一 ,  中谷典一 ,  小波本直也 ,  上田洋士

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种通过提高半导体基板的内部区域(容积区域)产生的少数载流子的补充的效率，而提高光电转换效率的太阳能电池元件。本实施方式的太阳能电池元件具备：具有一导电型的半导体基板，其具备作为受光面的第一面、位于该第一面的背侧的第二面及将所述第一面和所述第二面连接的侧面；第一pn结区域，其从所述第一面设置成直至所述侧面及所述第二面的外周部；具有所述一导电型的第一电极，其配置在所述第二面上，并与所述第一pn结区域邻接配置；第一槽部，其设置在所述第二面的外周与所述第一电极的端部之间，且沿着所述第二面的外周分离所述第二面的所述第一pn结区域。并且，在从所述第二面侧进行俯视观察时，所述第一电极的所述端部与所述第一槽部的最短距离Q小于所述侧面的所述第一pn结区域的pn结部与所述第一槽部的最短距离P。

公开(公告)号：CN101300682A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680041292.7

申请日：2006-11-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 冈田健一 ,  京田豪 ,  林孝一 ,  富田贤时 ,  有宗久雄

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种光电变换装置，在导电性基板(1)的表面上，在表层上形成有第2导电型的半导体部(4)的第1导电型的结晶半导体粒子(2)多个相互隔开间隔而接合在导电性基板(1)，并且在该结晶半导体粒子(2、2)间的导电性基板(1)上形成有绝缘层(3)，透光性导体层(5)形成在绝缘层(3)上以及上述结晶半导体粒子(2)上，进而在该透光性导体层(5)的表面形成有集电极(7)，上述集电极(7)由形成有能使外光照射到上述各结晶半导体粒子(2)的多个贯通孔(40)的导电板构成，上述透光性导体层(5)以及上述集电极(7)上设置有透光性聚光层(8)，因此能够提供一种以简单的工序来抑制电阻损耗，同时消除遮蔽损耗的高效率的光电变换装置。