公开(公告)号：CN108713255A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780013015.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 吉田贵信 ,  松冈辽

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池元件具备：半导体基板；位于该半导体基板上的钝化层；位于该钝化层上的保护层；以及位于该保护层上的第一电极。保护层具有至少一个空隙部，所述至少一个空隙部位于从第一电极的半导体基板侧的第一下表面到钝化层的第一下表面侧的第一上表面的位置。

公开(公告)号：CN111492492A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880077215.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 松岛德彦 ,  吉田贵信 ,  川岛义生

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068

Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层、保护层以及电极层。钝化层位于半导体基板的第1面之上。保护层位于钝化层之上。电极层位于保护层之上，包括玻璃成分。保护层具有位于电极层侧的面的多个凸状部。该多个凸状部分别在电极层侧具有凹状部分。玻璃成分位于该凹状部分的内部空间。

公开(公告)号：CN108713255B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201780013015.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 吉田贵信 ,  松冈辽

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224

Abstract: 太阳能电池元件具备：半导体基板；位于该半导体基板上的钝化层；位于该钝化层上的保护层；以及位于该保护层上的第一电极。保护层具有至少一个空隙部，所述至少一个空隙部位于从第一电极的半导体基板侧的第一下表面到钝化层的第一下表面侧的第一上表面的位置。