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公开(公告)号：CN107360731A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201680007452.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN109673170B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201780046035.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层和电极。半导体基板具有第一面及位于该第一面的背侧的第二面。钝化层位于半导体基板的第二面上。电极位于钝化层上，且以与半导体基板电连接的状态存在。电极具有线状电极部，该线状电极部在从第二面侧对半导体基板进行俯视透视时沿着半导体基板的周缘部存在且以在厚度方向上将钝化层贯通的状态存在。
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公开(公告)号：CN106463548A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580021586.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/45529 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。
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公开(公告)号：CN107360731B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201680007452.X
申请日：2016-02-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109673170A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201780046035.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层和电极。半导体基板具有第一面及位于该第一面的背侧的第二面。钝化层位于半导体基板的第二面上。电极位于钝化层上，且以与半导体基板电连接的状态存在。电极具有线状电极部，该线状电极部在从第二面侧对半导体基板进行俯视透视时沿着半导体基板的周缘部存在且以在厚度方向上将钝化层贯通的状态存在。
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公开(公告)号：CN109844959A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780060259.7
申请日：2017-09-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板、钝化层、保护层以及背面电极。半导体基板具有第1表面以及朝向与该第1表面相反的方向的第2表面。钝化层位于第2表面上。保护层位于钝化层上。背面电极位于保护层上。背面电极经由将保护层以及钝化层贯通的一个以上的孔部与半导体基板电连接。保护层具有第1区域以及处于包围该第1区域的位置的第2区域，该第1区域表现出厚度随着远离孔部的内缘部而增加的倾向。离第1区域的内缘部最远的位置与内缘部之间的距离大于第2区域的厚度。背面电极在第1区域上表现出厚度随着远离内缘部而减少的倾向。
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公开(公告)号：CN106463548B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201580021586.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: H01L31/02167 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/45529 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。
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公开(公告)号：CN103430319B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280014467.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN103430319A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014467.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。
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