光电变换装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108028287B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201680049221.5

    申请日:2016-08-26

    Inventor: 仲山彻

    Abstract: 具备p/n结合的两个半导体层(7A、7B)作为光电变换层(1),两个半导体层(7A、7B)当中至少一方的半导体层(7A、7B)是量子点集成膜(11),并且该量子点集成膜(11)具备能级不同的两层以上的量子点层(7A、7B)。在量子点集成膜(11)是p型时,在靠近p/n结面(8)的一方配置有价电子带的能级BV与费米能级Ef之差大的量子点层(7A)。

    光电变换装置以及光电变换模块

    公开(公告)号:CN106663705B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201580042051.3

    申请日:2015-09-18

    Abstract: 本发明提供一种载流子的收集能力高且由此能够提高短路电流密度的光电变换装置以及光电变换模块。本发明具备:量子点集聚部(1);基部层(3),被配置在量子点集聚部(1)中的至少一个主面并具有集电性;以及多个载流子收集部(5),从该基部层(3)延伸到量子点集聚部(1)内,具有开放端且呈柱状,该载流子收集部(5)以金属氧化物为主体,在开放端的附近部(5a)中,氧相对于金属的摩尔比高于该开放端的附近部(5a)以外的主体部(5b)。载流子收集部(5)作为副成分包含选自Li、Na、K、Ga、B以及Al的组的一种,其含量为1~5原子%。

    光电变换装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108028287A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680049221.5

    申请日:2016-08-26

    Inventor: 仲山彻

    Abstract: 具备p/n结合的两个半导体层(7A、7B)作为光电变换层(1),两个半导体层(7A、7B)当中至少一方的半导体层(7A、7B)是量子点集成膜(11),并且该量子点集成膜(11)具备能级不同的两层以上的量子点层(7A、7B)。在量子点集成膜(11)是p型时,在靠近p/n结面(8)的一方配置有价电子带的能级BV与费米能级Ef之差大的量子点层(7A)。

    光电转换装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105723521B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201480062323.1

    申请日:2014-11-19

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种吸光率高且能够提高发电效率的量子点层以及太阳能电池。光电转换层(1)具备具有多个量子点(3)以及包围该量子点(3)的阻挡部(4)的含量子点层(5),在含量子点层(5)的厚度方向的剖面,提取在含量子点层(5)的表面(7)侧在平面方向上相邻排列的3个量子点(3、3a),在描绘了连结位于两侧的2个量子点(3)的表面(7)侧的端部的直线(L)时,位于中央的量子点(3a)从直线向表面(7)侧突出了该位于中央的量子点(3a)的直径的1/2以上。由此能够得到光探测层(17)中的吸光率高且发电效率高的光电转换层(1)以及使用了该光电转换层的光电转换装置。

    光电转换层以及光电转换装置

    公开(公告)号:CN105723521A

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201480062323.1

    申请日:2014-11-19

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种吸光率高且能够提高发电效率的量子点层以及太阳能电池。光电转换层(1)具备具有多个量子点(3)以及包围该量子点(3)的阻挡部(4)的含量子点层(5),在含量子点层(5)的厚度方向的剖面,提取在含量子点层(5)的表面(7)侧在平面方向上相邻排列的3个量子点(3、3a),在描绘了连结位于两侧的2个量子点(3)的表面(7)侧的端部的直线(L)时,位于中央的量子点(3a)从直线向表面(7)侧突出了该位于中央的量子点(3a)的直径的1/2以上。由此能够得到光探测层(17)中的吸光率高且发电效率高的光电转换层(1)以及使用了该光电转换层的光电转换装置。

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