公开(公告)号：CN102471886A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029564.8

申请日：2010-08-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  稻叶真一郎 ,  松居宏史

IPC: C23C16/507 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的一个方式的沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，该第二电极具有：第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二供给路径具有：干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，在该支流部的多个所述气体流路分别连接有多个所述第二供给部，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。

公开(公告)号：CN102099505A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980128302.4

申请日：2009-07-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 新乐浩一郎 ,  伊藤宪和 ,  稻叶真一郎 ,  松居宏史

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜，本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有：腔室；位于腔室内的第一电极；第二电极，按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。

公开(公告)号：CN102482775A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039718.1

申请日：2010-09-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  稻叶真一郎 ,  松居宏史 ,  新乐浩一郎

IPC: C23C16/455 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/5096 ,  H01L31/18

Abstract: 为了在不产生膜品质的面内不均匀的前提下形成高品质膜，本发明的一个方式的沉积膜形成装置具有：腔室；第一电极，其位于该腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，与所述第一电极隔开规定间隔，而且具有用于供给原料气体的多个供给部；导入路径，其与所述供给部相连接，且用于导入原料气体；加热单元，其设在该导入路径内；冷却机构，其用于冷却所述第二电极。