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公开(公告)号：CN119628254A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411657566.1
申请日：2020-03-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 信息处理装置基于第一信息和第二信息的输入来输出结果信息。第一信息表示太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间的从开始时到结束时受到的湿热导致的应力量。第二信息表示在设置有太阳能电池模块的现场中太阳能电池模块在每预定时间受到的湿热导致的应力量。结果信息是与在太阳能电池模块设置于现场时假定太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间相关的信息。另外，第二信息是基于与设置有太阳能电池模块的现场的一天中的太阳能电池模块的最高温度相关的信息而生成的。
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公开(公告)号：CN102482775A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039718.1
申请日：2010-09-24
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L31/18
Abstract: 为了在不产生膜品质的面内不均匀的前提下形成高品质膜，本发明的一个方式的沉积膜形成装置具有：腔室；第一电极，其位于该腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，与所述第一电极隔开规定间隔，而且具有用于供给原料气体的多个供给部；导入路径，其与所述供给部相连接，且用于导入原料气体；加热单元，其设在该导入路径内；冷却机构，其用于冷却所述第二电极。
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公开(公告)号：CN113544969A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019661.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 信息处理装置基于第一信息和第二信息的输入来输出结果信息。第一信息表示太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间的从开始时到结束时受到的湿热导致的应力量。第二信息表示在设置有太阳能电池模块的现场中太阳能电池模块在每预定时间受到的湿热导致的应力量。结果信息是与在太阳能电池模块设置于现场时假定太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间相关的信息。另外，第二信息是基于与设置有太阳能电池模块的现场的一天中的太阳能电池模块的最高温度相关的信息而生成的。
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公开(公告)号：CN113544969B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202080019661.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 用于预测太阳能电池模块的使用寿命的装置包括输入第一信息和第二信息的输入部以及输出结果信息的输出部。第一信息表示太阳能电池模块输出预定的电力的期间的从开始时到结束时经受的湿热导致的应力量。第二信息表示在设置有太阳能电池模块的现场中太阳能电池模块在每预定时间经受的湿热导致的应力量。结果信息是与在太阳能电池模块设置于现场时假定太阳能电池模块预计输出预定的电力的预测期间相关的信息。另外，第二信息是基于与设置有太阳能电池模块的现场的一天中的太阳能电池模块的最高温度相关的信息而生成的。
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公开(公告)号：CN116918246A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280015837.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明包括：第一光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第一测量步骤，用于测量第一光浸润步骤中的p型晶体硅的第一衰减量；暗退火步骤，用于在高于150℃但不高于250℃对p型晶体硅执行热处理；第二光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第二测量步骤，用于测量第二光浸润步骤中的p型晶体硅的第二衰减量；以及计算步骤，用于使用第一衰减量和第二衰减量计算p型晶体硅的高温光诱导衰减量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104247045B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201380016985.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/048 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。
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公开(公告)号：CN104247045A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380016985.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/048 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。
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公开(公告)号：CN102725868A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080054175.0
申请日：2010-11-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/052 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0547 , H01L31/048 , H01L31/068 , H02S40/22 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其具备：具有光入射的第一面(61a)及位于第一面(61a)的相反侧的第二面(61b)的基板(61)；被设置于基板(61)的第二面(61b)上的光电转换元件；被设置于该光电转换元件上的透光件(66)；以及被设置于透光件(66)上的反射件(67)，其使透过了透光件(66)的光反射，反射件(67)具备倾斜的光反射面(67a)，其将由该反射件(67)反射的光在基板(61)的第一面(61a)进行全反射。
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公开(公告)号：CN102668032A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051961.5
申请日：2010-11-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45563 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 一种沉积膜形成装置，具有：腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于腔室内，且与第一电极隔开规定间隔；第二电极具有：电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有：第一供给部，其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至空间，第一供给路径，其与第一供给部相连接，用于导入第一原料气体，第二供给路径，其与第二供给部相连接，用于导入第二原料气体；电极基体具有：加热单元，其对第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将第一原料气体导入至第一供给路径，第二导入路径，其将第二原料气体导入至第二供给路径；第二供给路径具有：干流部，其从第二导入路径导入第二原料气体，且在该干流部上未设有第二供给部，多个支流部，它们从该干流部导入第二原料气体，且在这些支流部上设有第二供给部；用于连接第二导入路径和干流部的连接部，位于相邻的电极板的相邻部位。
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公开(公告)号：CN102099505A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128302.4
申请日：2009-07-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜，本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有：腔室；位于腔室内的第一电极；第二电极，按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
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