公开(公告)号：CN116918246A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015837.6

申请日：2022-02-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊野裕司 ,  白泽胜彦 ,  高远秀尚 ,  平藤骏介 ,  新乐浩一郎 ,  伊藤宪和

IPC: H02S50/10

Abstract: 本发明包括：第一光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第一测量步骤，用于测量第一光浸润步骤中的p型晶体硅的第一衰减量；暗退火步骤，用于在高于150℃但不高于250℃对p型晶体硅执行热处理；第二光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第二测量步骤，用于测量第二光浸润步骤中的p型晶体硅的第二衰减量；以及计算步骤，用于使用第一衰减量和第二衰减量计算p型晶体硅的高温光诱导衰减量。

公开(公告)号：CN119605332A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380059159.8

申请日：2023-08-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平藤骏介 ,  山下铁平

IPC: H10F77/20 ,  H10F19/90

Abstract: 太阳能电池元件包括具有第一面以及第二面的半导体基板和第一面上的第一电极。第一电极包括沿着第一方向配置的汇流条部（311b）和在第一方向上排列的多根指状部（311f）。汇流条部（311b）包括第一方向上的位置相互不同的第一区域（A1）和第二区域（A2）。多根指状部（311f）包括与第一区域（A1）连接的多根第一指状部（311f1）和与第二区域（A2）连接的多根第二指状部（311f2）。各第一指状部（311f1）包括与第一区域（A1）连接的第一部分（P1）和与第一区域（A1）分离的第二部分（P2）。各第二指状部（311f2）包括与第二区域（A2）连接的第三部分（P3）和与第二区域（A2）分离的第四部分（P4）。第一部分（P1）的宽度比第三部分（P3）大。