-
公开(公告)号：CN119628254A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411657566.1
申请日：2020-03-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 信息处理装置基于第一信息和第二信息的输入来输出结果信息。第一信息表示太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间的从开始时到结束时受到的湿热导致的应力量。第二信息表示在设置有太阳能电池模块的现场中太阳能电池模块在每预定时间受到的湿热导致的应力量。结果信息是与在太阳能电池模块设置于现场时假定太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间相关的信息。另外，第二信息是基于与设置有太阳能电池模块的现场的一天中的太阳能电池模块的最高温度相关的信息而生成的。
-
公开(公告)号：CN113544969B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202080019661.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 用于预测太阳能电池模块的使用寿命的装置包括输入第一信息和第二信息的输入部以及输出结果信息的输出部。第一信息表示太阳能电池模块输出预定的电力的期间的从开始时到结束时经受的湿热导致的应力量。第二信息表示在设置有太阳能电池模块的现场中太阳能电池模块在每预定时间经受的湿热导致的应力量。结果信息是与在太阳能电池模块设置于现场时假定太阳能电池模块预计输出预定的电力的预测期间相关的信息。另外，第二信息是基于与设置有太阳能电池模块的现场的一天中的太阳能电池模块的最高温度相关的信息而生成的。
-
公开(公告)号：CN116918246A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280015837.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明包括：第一光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第一测量步骤，用于测量第一光浸润步骤中的p型晶体硅的第一衰减量；暗退火步骤，用于在高于150℃但不高于250℃对p型晶体硅执行热处理；第二光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第二测量步骤，用于测量第二光浸润步骤中的p型晶体硅的第二衰减量；以及计算步骤，用于使用第一衰减量和第二衰减量计算p型晶体硅的高温光诱导衰减量。
-
公开(公告)号：CN113544969A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019661.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 信息处理装置基于第一信息和第二信息的输入来输出结果信息。第一信息表示太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间的从开始时到结束时受到的湿热导致的应力量。第二信息表示在设置有太阳能电池模块的现场中太阳能电池模块在每预定时间受到的湿热导致的应力量。结果信息是与在太阳能电池模块设置于现场时假定太阳能电池模块能够输出预定的电力的期间相关的信息。另外，第二信息是基于与设置有太阳能电池模块的现场的一天中的太阳能电池模块的最高温度相关的信息而生成的。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
