公开(公告)号：CN104247045B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380016985.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫本康治 ,  青野重雄 ,  本城智郁 ,  宫崎史朗 ,  田中政博 ,  新乐浩一郎 ,  黑部宪一

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。

公开(公告)号：CN104247045A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380016985.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫本康治 ,  青野重雄 ,  本城智郁 ,  宫崎史朗 ,  田中政博 ,  新乐浩一郎 ,  黑部宪一

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。