半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1276092A

    公开(公告)日:2000-12-06

    申请号:CN97182470.3

    申请日:1997-10-07

    Inventor: 道井一成

    CPC classification number: H01L2224/48247 H01L2224/49171 H01L2924/00

    Abstract: 由于作成下述的结构,即,具备:在其周边部上形成了多个电极的半导体元件3;外部连接用的多条引线6,对应于多个电极5的每一个而被配置,用导线8进行连接;以及用树脂材料密封了半导体元件3和多条引线6的封装体本体1,多条引线6朝向封装体本体1的被插入插座中的一侧的底面延伸,交替地被弯曲成凸形状和凹形状,凸形状部的顶点面和凹形状部的底面在封装体本体的表面上露出,故成为外部连接用电极2的部分(即,凸形状部的顶点面和凹形状部的底面)的间距变宽,可增大外部连接用电极2的面积,可提高接触可靠性。或者,即使减小引线间距,也能确保必要的外部连接用电极2的面积,通过减小引线间距,可谋求封装体的小型化。

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