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公开(公告)号:CN1093318C
公开(公告)日:2002-10-23
申请号:CN96121812.6
申请日:1996-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 石井秀基
CPC classification number: H05K1/141 , H01L25/105 , H01L2225/1005 , H01L2225/1029 , H01L2225/107 , H01L2924/0002 , H05K1/144 , H05K1/181 , H05K1/182 , H05K3/3436 , H05K3/368 , H05K2201/10689 , H05K2203/1572 , H01L2924/00
Abstract: 课题是要获得一种薄型且可高密度装配的半导体装置。解决方法是使IC封装17面对各开口部分12装配于基板11的两面上,使得变成为把封装主体18半收容于设在基板11上的开口部分12之内的形式。
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公开(公告)号:CN1160934A
公开(公告)日:1997-10-01
申请号:CN96117912.0
申请日:1996-12-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 石井秀基
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/49555 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2225/1029 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种可实现薄型化、可改善散热性,并可多层化的半导体器件及其制造方法。用铸模树脂5b把IC芯片1、金丝2、芯片焊盘3b的一部分盖起来。芯片焊盘3b从铸模树脂5b中露出来。把外部引线4b形成为从与芯片焊盘3b的外露面同一平面,沿着铸模树脂5b一直到与芯片焊盘3b相反一侧的铸模树脂5b的表面一侧。因此,可实现半导体器件的薄型化。因使芯片焊盘外露,故可以改善散热性,并借助于把外部引线4b形成于铸模树脂5b的上下,故使半导体器件的多层化成为可能。
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公开(公告)号:CN1160926A
公开(公告)日:1997-10-01
申请号:CN96121812.6
申请日:1996-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 石井秀基
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H05K1/141 , H01L25/105 , H01L2225/1005 , H01L2225/1029 , H01L2225/107 , H01L2924/0002 , H05K1/144 , H05K1/181 , H05K1/182 , H05K3/3436 , H05K3/368 , H05K2201/10689 , H05K2203/1572 , H01L2924/00
Abstract: 课题是要获得一种薄型且可高密度装配的半导体装置。解决方法是使IC封装17面对各开口部分12装配于基板11的两面上,使得变成为把封装主体18半收容于设在基板11上的开口部分12之内的形式。
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公开(公告)号:CN1183593C
公开(公告)日:2005-01-05
申请号:CN01135793.2
申请日:2001-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2225/06551 , H01L2225/06568 , H01L2225/1011 , H01L2225/1029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体装置备有第一半导体组件(7)和安装在该第一半导体组件(7)上的第二半导体组件(8)。第一半导体组件(7)的表面上有第二半导体组件安装用接触区(6),背面上有与安装基板连接用的外部连接用接触区(12)。第二半导体组件(8)有与第二半导体组件安装用接触区(6)连接的外部引线(10)。
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公开(公告)号:CN1453867A
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN02157072.8
申请日:2002-12-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/3107 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/85191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/07802 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的课题是,提供一种即使不减薄半导体器件各结构部件的厚度也能够使半导体器件的整个高度减薄的树脂密封型半导体器件。本发明的器件结构具备:将电路面粘结到管芯底座1的一面上的第1半导体芯片15;背面被粘结到读第1半导体芯片15的背面上的第2半导体芯片16;将上述各半导体芯片分别连接到外部引线5上的金属丝17、18;以及覆盖上述管芯底座1、上述第1、第2半导体芯片15、16及上述金属丝17、18使得上述管芯底座1的另一面露出的密封树脂8。
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公开(公告)号:CN1099711C
公开(公告)日:2003-01-22
申请号:CN96117912.0
申请日:1996-12-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 石井秀基
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/49555 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2225/1029 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种可实现薄型化、可改善散热性,并可多层化的半导体器件及其制造方法。用铸模树脂5b把IC芯片1、金丝2、管芯垫3b的一部分盖起来。管芯垫3b从铸模树脂5b中露出来。把外部引线4b形成为从与管芯垫3b的外露面同一平面,沿着铸模树脂5b一直到与管芯垫3b相反一侧的铸模树脂5b的表面一侧。因此,可实现半导体器件的薄型化。因使管芯垫外露,故可以改善散热性,并借助于把外部引线4b形成于铸模树脂5b的上下,故使半导体器件的多层化成为可能。
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公开(公告)号:CN1368761A
公开(公告)日:2002-09-11
申请号:CN01135793.2
申请日:2001-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2225/06551 , H01L2225/06568 , H01L2225/1011 , H01L2225/1029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体装置备有第一半导体组件(7)和安装在该第一半导体组件(7)上的第二半导体组件(8)。第一半导体组件(7)的表面上有第二半导体组件安装用接触区(6),背面上有与安装基板连接用的外部连接用接触区(12)。第二半导体组件(8)有与第二半导体组件安装用接触区(6)连接的外部引线(10)。
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