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公开(公告)号：CN102074536B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010521765.1
申请日：2010-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法，以能够不将电路图案的非电解Ni-P镀层的厚度厚膜化来抑制Ni-P镀层中的Ni扩散至焊锡中，且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括：衬底；元件用电路图案，是形成于该衬底上，由Ni-P镀层覆盖Cu的结构；以及半导体元件，其通过焊锡与该元件用电路图案固接。而且，其特征在于，该焊锡是Sn和Sb和Cu的合金，且Cu的重量百分比是0.5％以上1％以下的任意值。
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公开(公告)号：CN1761052A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510085942.5
申请日：2005-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在设有以铝为主要成分的基板的半导体装置中，抑制安装在基板上的螺钉的紧固力所引起的劣化。该半导体装置设有：以铝为主要成分的基板(1)以及形成在基板(1)上的绝缘衬底(2)。基板(1)上有：收容将该基板(1)固定到散热片(13)的固定螺钉(14)的通孔(20)以及与该通孔(20)对应设置的、以铜或铁为主要成分的平衬套(21)。
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公开(公告)号：CN100405584C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510085942.5
申请日：2005-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在设有以铝为主要成分的基板的半导体装置中，抑制安装在基板上的螺钉的紧固力所引起的劣化。该半导体装置设有：以铝为主要成分的基板(1)以及形成在基板(1)上的绝缘衬底(2)。基板(1)上有：收容将该基板(1)固定到散热片(13)的固定螺钉(14)的通孔(20)以及与该通孔(20)对应设置的、以铜或铁为主要成分的平衬套(21)。
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公开(公告)号：CN1203542C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01123243.9
申请日：2001-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15
CPC classification number: H05K3/0061 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/13091 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/341 , H05K2201/2036 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2075 , H01L2924/2076 , H01L2924/20754
Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上，装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3，而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上，通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5～5.5mm和0.5～1mm，将电路图形4的厚度设定为0.4～0.6mm，将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100～300μm。
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公开(公告)号：CN100399552C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510081349.3
申请日：2005-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是，在半导体器件组装时，提供一种减少在加热工序中所产生的底板的翘曲或变形的技术。在底板1内部形成增强板13。增强板13的材料使用Cu、Cu合金、Fe、Fe合金等比底板1的其它部位的材料(例如A1)的线膨胀系数低的材料。通过在底板1的内部形成线膨胀系数低的增强板13，减少了底板1的视在线膨胀系数。其结果是，由于底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差减小，故在加热工序中，可减少因底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差大而产生的底板1的翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1755918A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510081349.3
申请日：2005-06-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是，在半导体器件组装时，提供一种减少在加热工序中所产生的底板的翘曲或变形的技术。在底板1内部形成增强板13。增强板13的材料使用Cu、Cu合金、Fe、Fe合金等比底板1的其它部位的材料(例如Al)的线膨胀系数低的材料。通过在底板1的内部形成线膨胀系数低的增强板13，减少了底板1的视在线膨胀系数。其结果是，由于底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差减小，故在加热工序中，可减少因底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差大而产生的底板1的翘曲。
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公开(公告)号：CN1354510A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01123243.9
申请日：2001-07-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/15
CPC classification number: H05K3/0061 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/13091 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/341 , H05K2201/2036 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2075 , H01L2924/2076 , H01L2924/20754
Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上,装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3,而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上,通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5～5.5mm和0.5～1mm,将电路图形4的厚度设定为0.4～0.6mm,将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100～300μm。
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公开(公告)号：CN102270613A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110076941.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/492
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/49861 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45032 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的目的在于提供即使在高温的负载条件下功率半导体元件周边的接合部及绝缘衬底和散热器的接合部也不产生裂纹的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置，包括：由Cu构成的厚度2～3mm的散热器(3)；在散热器(3)上隔着第1接合层(衬底下焊锡(5))接合的绝缘衬底(2)；以及搭载于绝缘衬底(2)上的功率半导体元件(1)，在散热器(3)上，与绝缘衬底(2)的接合区域的周围形成有缓冲槽(3a)。
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公开(公告)号：CN102074536A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010521765.1
申请日：2010-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 千住金属工业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , C22C13/02
CPC classification number: H01L24/29 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法，以能够不将电路图案的非电解Ni-P镀层的厚度厚膜化来抑制Ni-P镀层中的Ni扩散至焊锡中，且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括：衬底；元件用电路图案，是形成于该衬底上，由Ni-P镀层覆盖Cu的结构；以及半导体元件，其通过焊锡与该元件用电路图案固接。而且，其特征在于，该焊锡是Sn和Sb和Cu的合金，且Cu的重量百分比是0.5％以上1％以下的任意值。
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公开(公告)号：CN100377336C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510053039.0
申请日：2005-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供在确保与使用含铅的场合有同等的对热循环的耐久性的同时，实现抑制热电阻及耐热性，抑制制造成本上升的半导体装置及其制造方法。铜材构成散热器1的主面与绝缘基板2连接。绝缘基板2的背面图案5通过基板下焊锡层7与散热器1的主面连接，由此，绝缘基板2固定在散热器1。在构成绝缘基板2的陶瓷基体材料3的边缘部外部的散热器1的主面内，在陶瓷基体材料3的四方形的角部外部设置内壁向内侧倾斜的倾斜槽15。
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