-
公开(公告)号：CN111748093A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC分类号： C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
摘要： 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1] 其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1-C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3-C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有1至6个第三杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。
-
公开(公告)号：CN111748093B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC分类号： C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
摘要： 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1]其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1‑C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3‑C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1‑C10
-
公开(公告)号：CN102725695B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： G03F7/09
CPC分类号： G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
摘要： 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
-
公开(公告)号：CN102725695A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： G03F7/09
CPC分类号： G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
摘要： 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
-
公开(公告)号：CN118613052A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410230756.9
申请日：2024-02-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10B12/00 , H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 一种半导体存储器件包括：基板，所述基板具有限定有源区的元件分隔膜；和栅极结构，所述栅极结构位于所述基板上的沟槽中并且与所述有源区相交，其中，每个所述栅极结构包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层沿着所述沟槽中的相应沟槽的侧壁和底表面延伸；栅电极层，所述栅电极层位于所述栅极绝缘层上，并且包括第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；衬膜，所述衬膜位于所述栅极绝缘层和所述第一金属层之间，并且包括与所述第一金属层和所述第二金属层相同的金属材料；和覆盖膜，所述覆盖膜与所述第二金属层接触。
-
公开(公告)号：CN118800788A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410189777.0
申请日：2024-02-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/283 , H10B12/00
摘要： 一种栅极结构可以包括：第一导电图案；第二导电图案，所述第二导电图案位于所述第一导电图案上并包括掺杂有杂质的多晶硅；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述第一导电图案的侧壁和所述第二导电图案的侧壁上。包括半导体材料或绝缘材料的覆盖层可以设置在所述第一导电图案下方。所述第一导电图案可以包括金属颗粒。至少一个所述金属颗粒可以从所述覆盖层的上表面延伸到所述第二导电图案的下表面，并且可以接触所述覆盖层的所述上表面和所述第二导电图案的所述下表面。
-
公开(公告)号：CN110468389B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201910112028.7
申请日：2019-02-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C14/50 , H01L21/67
摘要： 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。
-
公开(公告)号：CN118398655A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410022844.X
申请日：2024-01-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/423 , H10B12/00
摘要： 提供了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。
-
-
公开(公告)号：CN110468389A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910112028.7
申请日：2019-02-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C14/50 , H01L21/67
摘要： 提供了一种沉积设备。所述沉积设备包括：反应腔室，包括上板和容器主体，上板包括用于注入处理气体的气体供应件；晶圆卡盘，包括用于在其上装载晶圆的上表面，位于反应腔室中，并且晶圆卡盘的上表面面对上板；以及处理气体遮蔽部，在晶圆从晶圆卡盘去除的状态下，防止处理气体被吸附到晶圆卡盘的上表面并且设置在上板和晶圆卡盘之间。处理气体遮蔽部包括板状的挡板，挡板包括具有用于朝向晶圆卡盘喷射吹扫气体的气体排放部分的区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.041 秒)
