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公开(公告)号：CN102725695B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
Abstract: 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
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公开(公告)号：CN111748093A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC: C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
Abstract: 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1] 其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1-C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3-C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有1至6个第三杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。
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公开(公告)号：CN111748093B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC: C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
Abstract: 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1]其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1‑C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3‑C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1‑C10
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公开(公告)号：CN102725695A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
Abstract: 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
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