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公开(公告)号：CN111748093A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC: C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
Abstract: 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1] 其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1-C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3-C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1-C10链状饱和或不饱和烃基或者具有1至6个第三杂原子的C3-C10环状饱和或不饱和烃基。
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公开(公告)号：CN111748093B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202010005831.3
申请日：2020-01-03
IPC: C08G73/06 , G03F7/11 , C09D179/04 , C09D5/00
Abstract: 提供了一种聚合物、一种包括其的组合物以及制造集成电路器件的方法。所述聚合物具有由式1表示的重复单元：[式1]其中，R1、R2和R3均独立地选自于具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C1‑C6链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第一杂原子的取代或未取代的C3‑C6环状饱和或不饱和烃基，其中，R1、R2和R3中的至少一个是取代有氟原子的烃基。R4是具有0至2个第二杂原子的C1‑C10链状饱和或不饱和烃基或者具有0至2个第二杂原子的C3‑C10环状饱和或不饱和烃基。R5是具有1至6个第三杂原子的C1‑C10
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公开(公告)号：CN1885161B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610092645.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明公开了包含以下通式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在上述通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885161A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610092645.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明公开了包含右式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。
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公开(公告)号：CN103988128A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280046335.6
申请日：2012-09-21
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: G03F7/0388 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/405
Abstract: 本发明公开了一种在200～250℃高温下具有良好热稳定性的I线光刻胶组合物以及利用该组合物形成精细图案的方法，通过该组合物可以形成使用酸扩散层的精细光刻胶图案。该I线光刻胶组合物包括：含有1～99mol%的重复单元的聚合物，重复单元选自由1～99mol%的说明书中化学式1代表的重复单元、化学式2代表的重复单元、化学式3代表的重复单元及其混合物构成的组;含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物；以及有机溶剂。在化学式2和3中，R*和R**分别是H或甲基，R1是H或具有3～15个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子，R2是具有1～30个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子。
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公开(公告)号：CN103843112A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047901.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3086 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337
Abstract: 本发明公开一种无需大量曝光和硬化引导图案就能形成20纳米级线宽的图案的用于形成半导体器件精细图案的方法。方法包括以下步骤：（a）在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层；（b）曝光光致抗蚀剂层并通过负色性显影溶液显影光致抗蚀剂层以形成引导图案；（c）在形成有引导图案的晶片上形成中立层；（d）显影引导图案以移除引导图案并形成具有由移除引导图案造成的开口部的中立层图案；（e）在形成有中立层图案的衬底上涂覆定向自组装（DSA）材料的嵌段共聚物（BCP），在超过玻璃化转变温度（Tg）的温度下加热衬底以形成定向自组装图案；以及（f）在定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性蚀刻具有相对低蚀刻电阻率（或高蚀刻率）的部分以形成精细图案。
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公开(公告)号：CN1931858B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200510102771.2
申请日：2005-09-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C07D407/08 , C08G4/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物，以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围；并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可产生精细的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN1931858A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510102771.2
申请日：2005-09-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C07D407/08 , C08G4/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物，以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围；并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可产生精细的光刻胶图案。
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