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公开(公告)号：CN102725695B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
Abstract: 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
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公开(公告)号：CN101435995A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810171829.2
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C69/94 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08G65/3315 , C08G65/3326 , C08G65/3346 , G03F7/0392
Abstract: 本发明公开了光敏化合物以及包含该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物，该光敏化合物作为分子抗蚀剂，其粒径小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物，并且该光敏化合物能够形成纳米组装。用以下通式表示所述光敏化合物。此外，本发明提供了光致抗蚀剂组合物，其包含1wt％至85wt％(重量％)的光敏化合物；相对于100重量份的光敏化合物，0.05至15重量份的光致产酸剂；以及相对于100重量份的光敏化合物，50至5000重量份的有机溶剂。在所述通式中，n是氧化异丙基(－CH(CH3)CH2O－)单体的重复个数，并且是1至40的整数，以及R是1至20个碳原子的烷基基团或3至20个碳原子的环烷基基团。
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公开(公告)号：CN102329403B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110186570.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/06 , C08L33/16 , C08L33/08 , C08L33/14 , C08L33/10 , C08L33/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C08F14/18 , C08F20/24 , C08F20/26 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、用于形成抗蚀剂保护膜的组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法，该聚合物用于液体浸没式光刻技术过程以保护光致抗蚀剂层。所述用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物包括由以下通式1所示的重复单元。通式1在通式1中，R1是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基基团(-CH3)、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团，R2是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团、或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团，X是其中n是0到5的整数，且*表示所述通式1排除X后的剩余部分，m是X的化学计量系数，是1或2。
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公开(公告)号：CN101435995B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810171829.2
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C69/94 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08G65/3315 , C08G65/3326 , C08G65/3346 , G03F7/0392
Abstract: 本发明公开了光敏化合物以及包含该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物，该光敏化合物作为分子抗蚀剂，其粒径小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物，并且该光敏化合物能够形成纳米组装。用以下通式表示所述光敏化合物。此外，本发明提供了光致抗蚀剂组合物，其包含1wt％至85wt％(重量％)的光敏化合物；相对于100重量份的光敏化合物，0.05至15重量份的光致产酸剂；以及相对于100重量份的光敏化合物，50至5000重量份的有机溶剂。在所述通式中，n是氧化异丙基(-CH(CH3)CH2O-)单体的重复个数，并且是1至40的整数，以及R是1至20个碳原子的烷基基团或3至20个碳原子的环烷基基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102725695A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
Abstract: 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
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公开(公告)号：CN1931858A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510102771.2
申请日：2005-09-15
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C07D407/08 , C08G4/00 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了具有螺环缩酮基团的光刻胶聚合物，以及包括所述聚合物的光刻胶组合物。由于所述螺环缩酮基团脱保护反应的活化能较低，因此所述光刻胶聚合物和光刻胶组合物可以提高分辨率和制程范围；并且由于其PEB(曝光后烘焙)温度敏感性较低，可产生精细的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN1704845A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074806.6
申请日：2005-06-03
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08F212/14 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08K5/36 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , C08L25/14 , C08L25/18 , C08F212/08
Abstract: 本发明公开了用于采用短波长曝光光源形成高分辨率精细电路图案的光敏聚合物，及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。所述光敏聚合物如以下式1所示，[式1]其中R1为氢原子，R2为氢原子（见图），R3为氯原子、溴原子、羟基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(OH)＝NH基团，R4为氢原子或甲基，1－x－y－z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，x、y和z分别为0.01－0.8，且n为1或2。
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公开(公告)号：CN102329403A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110186570.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C08F220/22 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/06 , C08L33/16 , C08L33/08 , C08L33/14 , C08L33/10 , C08L33/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C08F14/18 , C08F20/24 , C08F20/26 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、用于形成抗蚀剂保护膜的组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法，该聚合物用于液体浸没式光刻技术过程以保护光致抗蚀剂层。所述用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物包括由以下通式1所示的重复单元。通式1在通式1中，R1是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基基团(-CH3)、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团，R2是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团、或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团，X是其中n是0到5的整数，且*表示所述通式1排除X后的剩余部分，m是X的化学计量系数，是1或2。
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