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公开(公告)号：CN1885161B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610092645.8
申请日：2006-06-26
申请人： 株式会社东进世美肯
摘要： 本发明公开了包含以下通式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在上述通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。
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公开(公告)号：CN103906740A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053193.6
申请日：2012-11-01
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： C07D311/86 , C07D495/10 , C08G61/12 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/094 , C07D311/86 , C07D491/107 , C07D495/10 , C08G8/20 , C08G61/122 , C08G2261/344 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/11 , C07D311/96 , C07D335/04 , C07D493/10 , G03F7/0035
摘要： 本发明公开了一种用于半导体加工光刻过程的酚类单体，一种含有所述酚类单体的用于制备抗蚀剂下层的聚合物，以及一种包含所述聚合物的抗蚀剂下层组合物。所述酚类单体由说明书中结构式1表示，在结构式1中，R1、R2、R3和R4分别是氢原子，或者带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团；A是具有4～20个碳原子的单环或多环的芳香烃基团；X是氧原子(O)或硫原子(S)；Y是单键、亚甲基(CH2-)、氧原子(O)、硫原子(S)、氨基(-NH-)或两个单独的氢原子，其中，A、R1、R2、R3和R4都能被带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团取代；以及，要么R1和R2，要么R3和R4彼此独立连接，形成环状。
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公开(公告)号：CN103906740B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280053193.6
申请日：2012-11-01
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： C07D311/86 , C07D495/10 , C08G61/12 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/094 , C07D311/86 , C07D491/107 , C07D495/10 , C08G8/20 , C08G61/122 , C08G2261/344 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 本发明公开了一种用于半导体加工光刻过程的酚类单体，一种含有所述酚类单体的用于制备抗蚀剂下层的聚合物，以及一种包含所述聚合物的抗蚀剂下层组合物。所述酚类单体由说明书中结构式1表示，在结构式1中，R1、R2、R3和R4分别是氢原子，或者带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团；A是具有4～20个碳原子的单环或多环的芳香烃基团；X是氧原子(O)或硫原子(S)；Y是单键、亚甲基(CH2?)、氧原子(O)、硫原子(S)、氨基(?NH?)或两个单独的氢原子，其中，A、R1、R2、R3和R4都能被带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团取代；以及，要么R1和R2，要么R3和R4彼此独立连接，形成环状。
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公开(公告)号：CN103781816A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043341.6
申请日：2012-09-05
申请人： 株式会社东进世美肯
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G8/08 , C08G8/12 , C08G8/28 , C08G61/02 , C08G65/4006 , C08G65/48 , C08G65/485 , C08G73/0655 , C08G2261/135 , C08G2261/3424 , C08G2261/76 , C09D161/14 , C09D179/04 , G03F7/094
摘要： 本发明公开一种即使没有用于固化高分子的添加剂，也在加热时引起自交联反应的酚系自交联高分子及包含其的抗蚀剂下层膜组合物。所述酚系自交联高分子选自由本说明书的以下述化学式1表示的高分子、以下述化学式2表示的高分子和以下述化学式3表示的高分子组成的组。
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公开(公告)号：CN1885161A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610092645.8
申请日：2006-06-26
申请人： 株式会社东进世美肯
摘要： 本发明公开了包含右式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。
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公开(公告)号：CN103988128A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280046335.6
申请日：2012-09-21
申请人： 株式会社东进世美肯
CPC分类号： G03F7/0388 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/405
摘要： 本发明公开了一种在200～250℃高温下具有良好热稳定性的I线光刻胶组合物以及利用该组合物形成精细图案的方法，通过该组合物可以形成使用酸扩散层的精细光刻胶图案。该I线光刻胶组合物包括：含有1～99mol%的重复单元的聚合物，重复单元选自由1～99mol%的说明书中化学式1代表的重复单元、化学式2代表的重复单元、化学式3代表的重复单元及其混合物构成的组;含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物；以及有机溶剂。在化学式2和3中，R*和R**分别是H或甲基，R1是H或具有3～15个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子，R2是具有1～30个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子。
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公开(公告)号：CN103843112A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047901.5
申请日：2012-09-27
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3086 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337
摘要： 本发明公开一种无需大量曝光和硬化引导图案就能形成20纳米级线宽的图案的用于形成半导体器件精细图案的方法。方法包括以下步骤：（a）在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层；（b）曝光光致抗蚀剂层并通过负色性显影溶液显影光致抗蚀剂层以形成引导图案；（c）在形成有引导图案的晶片上形成中立层；（d）显影引导图案以移除引导图案并形成具有由移除引导图案造成的开口部的中立层图案；（e）在形成有中立层图案的衬底上涂覆定向自组装（DSA）材料的嵌段共聚物（BCP），在超过玻璃化转变温度（Tg）的温度下加热衬底以形成定向自组装图案；以及（f）在定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性蚀刻具有相对低蚀刻电阻率（或高蚀刻率）的部分以形成精细图案。
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