可变电阻存储器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113054099B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202011549731.3

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。

    导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池

    公开(公告)号:CN102376379B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201110232388.4

    申请日:2011-08-15

    CPC classification number: H01B1/22

    Abstract: 本发明涉及导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池。所述导电糊料包含导电粉末、金属玻璃和有机载体,其中所述金属玻璃包括选自具有低电阻率的元素、与所述导电粉末形成固溶体的元素、或者具有高氧化电势的元素的至少两种元素的合金,其中所述具有低电阻率的元素具有小于约100微欧-厘米的电阻率,和所述具有高氧化电势的元素具有约100千焦/摩尔或更大的氧化物形成吉布斯自由能绝对值。

    波长可调的激光装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1305189C

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200310122278.8

    申请日:2003-12-18

    Inventor: 金世润

    Abstract: 一种波长可调激光器设备包括半导体基片、Fabry-Perot(FP)激光器和平面光波电路。该FP激光器形成的半导体基片的一端,具有多个纵模。该平面光波电路形成在半导体基片的另一端,并包括波导和围绕波导的包层,光栅刻成波导的一部分。从FP激光器输出的光耦合到波导,该光栅反射不同波长的多个光束,且FP激光器通过从光栅反射的光束中的一个来锁定波长。

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