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公开(公告)号：CN114824065A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111560133.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。
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公开(公告)号：CN113054099B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549731.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
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公开(公告)号：CN118354661A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410045493.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电容器、制备其的方法和包括其的电子器件，所述电容器包括下部电极、与所述下部电极间隔开的上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质、在所述下部电极和所述电介质之间的第一层、以及在所述电介质和所述上部电极之间的第二层，其中所述电介质包括具有金红石相的TiO2并且掺杂有镁，所述第一层包括具有比包括在所述下部电极中的材料的功函数高的功函数的材料，并且所述第二层包括电介质保护材料。
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公开(公告)号：CN117219623A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310685942.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器、包括其的电子器件及制备所述电容器的方法。可提供电容器，其包括：第一薄膜电极层、第二薄膜电极层、在第一和第二薄膜电极层之间的电介质层、以及在第一薄膜电极层和电介质层之间和/或在第二薄膜电极层和电介质层之间的第一中间层。第一中间层包括第一金属氧化物，第一和第二薄膜电极层的至少一个包括具有导电性金红石晶体结构的第二金属氧化物，第二金属氧化物包括非贵金属，电介质层包括具有介电性金红石晶体结构的第三金属氧化物，且第一金属氧化物、第二金属氧化物和金属氧化物具有彼此不同的组成，第一金属氧化物包括GeO2，第三金属氧化物包括TiO2，且第一中间层的厚度小于电介质层的厚度。
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公开(公告)号：CN113054100B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113054100A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN112309472A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010348380.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
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公开(公告)号：CN114141815A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110648296.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种存储器件、包括该存储器件的电子装置以及该存储器件的制造方法，其中该存储器件可以包括：绝缘结构，包括第一表面和在第一方向上从第一表面突出的突起部分；记录材料层，在绝缘结构上并沿着突起部分的突出表面延伸以覆盖突起部分并且延伸到绝缘结构的第一表面上；沟道层，在记录材料层上并沿着记录材料层的表面延伸；栅极绝缘层，在沟道层上；以及栅电极，形成在栅极绝缘层上在面对绝缘结构的第二表面的位置。绝缘结构的第二表面可以是突起部分的突出的上表面。
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