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公开(公告)号：CN119894041A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510062645.6
申请日：2025-01-15
Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明涉及一种p沟道GaN场效应管及其制备方法，属于半导体技术领域，该p沟道GaN场效应管包括外延片，外延片包括p‑GaN层，p‑GaN层上设有源极、漏极、第一连接壁、第二连接壁、介质层和栅极，源极和漏极通过第一连接壁沿第一方向电连接，源极、漏极和第一连接壁共同限定出凹槽，凹槽沿垂直于第一方向的第二方向延伸，凹槽的第一侧壁位于源极和凹槽之间，第二侧壁位于漏极和凹槽之间，底壁位于第一连接壁，第一连接壁和第二连接壁呈夹角设置，第二连接壁位于凹槽内，第二连接壁分别与源极、漏极电连接，介质层覆盖在第一连接壁和第二连接壁上，栅极铺设于介质层上。本发明的GaN场效应管的导电通道包括至少两种类型的导电通道，栅控能力更强，输出电流更高。
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公开(公告)号：CN119820467A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411879478.6
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于晶片的化学机械抛光工艺参数的优化方法及抛光方法，以抛光工艺，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1；改变所述抛光工艺的参数中的至少1个，采用化学机械抛光机对晶片进行抛光处理，测定抛光结果1’；比较抛光结果1和抛光结果1’；若抛光结果1’不优于抛光结果1，则继续改变所述参数，直至抛光结果1’优于抛光结果1；若抛光结果1’优于抛光结果1，则直接进行后续步骤；在此基础上，改变抛光工艺中的其他参数，获得多个参数被优化后的抛光工艺；重复上述操作，直至获得目标参数均被优化后的抛光工艺。本发明对化学机械抛光工艺的参数进行系统优化，提升抛光工艺参数设置的科学性、合理性，提升抛光质量。
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公开(公告)号：CN118692991A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410815364.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H01L21/82 , H01L27/085
Abstract: 本发明提供一种用于晶体管垂直堆叠的集成方法，首先制备垂直凹槽和垂直印章，然后转移半导体沟道层和金属电极阵列形成悬浮结构，最后通过垂直印章对悬浮的半导体沟道层和金属电极阵列进行垂直层压。本发明通过一次垂直层压即可同时获得垂直堆叠的多层晶体管，简化了晶体管垂直堆叠的工艺过程。其次，本发明中垂直印章与凹槽完全嵌合，而且层压过程中不涉及溶液和机械应力，避免了界面的污染和器件结构的损伤，实现了晶体管的保形接触和无损垂直集成。
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公开(公告)号：CN118272920A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410353720.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提出一种超薄二维Kagome晶格Fe3Sn2金属材料的制备方法及应用，本发明将FeCl2和Sn的混合粉末置于常压化学气相沉积装置内，再将FeCl2和Sn的混合粉末加热至挥发温度，再通入载气恒温生长，以获得Fe3Sn2二维材料，并且本发明可以根据制备需求，在将FeCl2和Sn的混合粉末加热至挥发温度后，选择性的决定是否在FeCl2和Sn的混合粉末附近加入Fe源，通过改变Fe元素的浓度以控制合成样品的形状。本发明通过简单的常压化学气相沉积方法得到了厚度可达10nm以下的Fe3Sn2二维材料，为单晶，质量高，且生长形状可控，重现性好。
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公开(公告)号：CN117393444A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311344095.4
申请日：2023-10-17
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/538 , H01L21/34 , H01L25/07
Abstract: 一种范德华单片三维集成的方法，包括以下步骤：一)范德华电路层的预制备；二)范德华电路层的整体拾取和层压；三)范德华电路层和半导体沟道材料的逐层堆叠。本发明通过在牺牲晶圆上预制备所有的电路模块，避免了电路模块制备过程中的高能过程对半导体沟道材料的损伤。其次，本发明的层压温度在120℃以下，完全避免了上层器件集成对下层器件的损伤，实现了一种低温且无损的全范德华单片三维集成。本发明构筑了多层逻辑器件和逻辑/传感器件的单片三维集成器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117012739A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310949906.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种具有散热结构的功率模块，散热结构包括散热器；所述散热器内底面上形成第一冷却区域、第二冷却区域，键合线的位于芯片上表面的每个跟脚在散热器内底面的投影均位于第二冷却区域；第一冷却区域中在第二方向相邻设置的两个第一隔板之间形成第一冷却液通道；第二冷却区域中在第二方向上相邻的两个凸起结构之间形成第二冷却液通道；w2/L2≥w1/L1，w2≤w1，L2≤L1/2，L1为所述第一隔板在第二方向上的尺寸，L2为所述凸起结构在第二方向上的尺寸；w1为所述第一冷却液通道的宽度，w2为所述第二冷却液通道的宽度；所述散热器的外壳还开设有冷却液入口、冷却液出口。
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公开(公告)号：CN116789181A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310834610.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 一种钙钛矿型铁酸钐(SmFeO3)的制备方法及应用，其制备方法包括以下步骤：(1)将可溶性铁盐，可溶性钐盐，一水合柠檬酸溶于水溶液中制备前驱体溶液；(2)在(1)中前驱体溶液中滴入氨水至中性，并在室温下磁力搅拌至均匀；(3)将(2)中搅拌均匀的前驱体溶液进行冷冻；(4)将(3)中放入冷冻干燥机进行干燥；(5)干燥后的材料转移至方舟中，将方舟放入管式炉中在空气氛围下以1‑10℃min‑1的升温速率升温至500‑950℃后保温2‑5h。将冷冻干燥法引入铁酸钐材料制备，减少了材料的团聚现象,从而使获得的钙钛矿型铁酸钐材料表面积比高，提高氧的吸附数量和反应速率，有效的降低了工作温度，提高了灵敏度，缩短了响应‑恢复时间，能够实现乙炔低浓度检测应用。
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公开(公告)号：CN116154801A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211455330.0
申请日：2022-11-21
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种电声换能器自适应宽带匹配控制方法及装置。电声换能器自适应宽带匹配控制方法包括：构建闭环控制系统，Iac_ref(s)经过比例控制器后得到前馈电压参考值；Iac_ref(s)减去Iac(s)后得到的电流误差信号△Iac经过PR控制器后得到的结果与前馈电压参考值相加，相加的结果作为信号波输出到PWM调制模块，PWM调制模块的输出端与单相全桥逆变器(30)开关管的控制端电连接；方法还包括：将电声换能器的工作频带划分为n个子频带，若判断角频率属于某个子频带，则将PR控制器的参数调整为与该子频带对应的PR控制器的参数；矩阵M1、M2、……、Mn互不相同。
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公开(公告)号：CN115441962A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211071634.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H04B13/02 , H04L25/02 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供一种用于电声换能器的非福斯特宽带匹配控制方法及控制装置，所述非福斯特宽带匹配控制方法包括：构建闭环控制系统，输出电流参考值经过比例控制器后得到参考电流前馈值，输出电流参考值减去功率放大器输出电流后的相减结果经过PR控制器后得到的结果与参考电流前馈值相加，相加的结果输入单相全桥逆变器，得到单相全桥逆变器的输出电压。在电声换能器的第一集中参数模型中，第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联在电声换能器的两个驱动端之间；所述等效电感模型是由非线性电感模型和非线性电阻模型相互串联构成的涡流阻抗模型。
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公开(公告)号：CN115186592A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210845323.5
申请日：2022-07-19
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: G06F30/27 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06Q10/04 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在功率循环条件运行下的功率半导体器件的使用寿命影响因素；由所述影响因素构建训练数据集，并对训练数据集中的数据进行规范化处理，利用规范化处理后的训练数据集训练深度卷积神经网络，得到寿命预测模型。本发明考虑到特征参数对使用寿命的单独和相互影响，产生了更准确的预测结果。
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