公开(公告)号：CN119894041A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510062645.6

申请日：2025-01-15

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 李阳锋 ,  杨蓉

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27 ,  H10D62/85

Abstract: 本发明涉及一种p沟道GaN场效应管及其制备方法，属于半导体技术领域，该p沟道GaN场效应管包括外延片，外延片包括p‑GaN层，p‑GaN层上设有源极、漏极、第一连接壁、第二连接壁、介质层和栅极，源极和漏极通过第一连接壁沿第一方向电连接，源极、漏极和第一连接壁共同限定出凹槽，凹槽沿垂直于第一方向的第二方向延伸，凹槽的第一侧壁位于源极和凹槽之间，第二侧壁位于漏极和凹槽之间，底壁位于第一连接壁，第一连接壁和第二连接壁呈夹角设置，第二连接壁位于凹槽内，第二连接壁分别与源极、漏极电连接，介质层覆盖在第一连接壁和第二连接壁上，栅极铺设于介质层上。本发明的GaN场效应管的导电通道包括至少两种类型的导电通道，栅控能力更强，输出电流更高。

公开(公告)号：CN119836063A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411807851.7

申请日：2024-12-10

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 李阳锋 ,  杨蓉

IPC: H10H20/816 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延结构，包括衬底，依次层叠设置在衬底上的成核层、非故意掺杂层、N型半导体层、多量子阱有源层、P型半导体层，非故意掺杂层和N型半导体层之间设有阻挡层，阻挡层对电子的势垒高于非故意掺杂层对电子的势垒，同时可有效阻挡位错等漏电通道向上传播。本发明的发光二极管外延结构的漏电通道少，漏电流小，且制备过程较为简单，容易推广应用。