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公开(公告)号：CN118272920A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410353720.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提出一种超薄二维Kagome晶格Fe3Sn2金属材料的制备方法及应用，本发明将FeCl2和Sn的混合粉末置于常压化学气相沉积装置内，再将FeCl2和Sn的混合粉末加热至挥发温度，再通入载气恒温生长，以获得Fe3Sn2二维材料，并且本发明可以根据制备需求，在将FeCl2和Sn的混合粉末加热至挥发温度后，选择性的决定是否在FeCl2和Sn的混合粉末附近加入Fe源，通过改变Fe元素的浓度以控制合成样品的形状。本发明通过简单的常压化学气相沉积方法得到了厚度可达10nm以下的Fe3Sn2二维材料，为单晶，质量高，且生长形状可控，重现性好。
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