公开(公告)号：CN119894355A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510062647.5

申请日：2025-01-15

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 黎博 ,  何坤 ,  段曦东

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/20 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及一种磁隧穿结及其制备方法。该磁隧穿结包括依次堆叠的Cr3Te4层、WS2层和Fe3GeTe2层，所述WS2层的厚度≤4.2nm。本发明的磁隧穿结的IV输出曲线在0‑1V的电压作用下呈现直线，该磁隧穿结工作时具有较小的电阻面积(RA)＜400kΩ·μm2。

公开(公告)号：CN118272920A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410353720.X

申请日：2024-03-26

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 黎博 ,  朱曼丽 ,  李球球 ,  段曦东

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/12

Abstract: 本发明提出一种超薄二维Kagome晶格Fe3Sn2金属材料的制备方法及应用，本发明将FeCl2和Sn的混合粉末置于常压化学气相沉积装置内，再将FeCl2和Sn的混合粉末加热至挥发温度，再通入载气恒温生长，以获得Fe3Sn2二维材料，并且本发明可以根据制备需求，在将FeCl2和Sn的混合粉末加热至挥发温度后，选择性的决定是否在FeCl2和Sn的混合粉末附近加入Fe源，通过改变Fe元素的浓度以控制合成样品的形状。本发明通过简单的常压化学气相沉积方法得到了厚度可达10nm以下的Fe3Sn2二维材料，为单晶，质量高，且生长形状可控，重现性好。

公开(公告)号：CN119753626A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411655103.1

申请日：2024-11-19

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 黎博 ,  易琛 ,  李球球 ,  段曦东

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明属于二维(2D)磁性异质结材料的制备领域，具体涉及一种氧化铬和碲化铬二维异质结及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：S1、将Te源放置在管式炉上游恒温区，将Cr源放置在下游恒温区，所述Cr源包括CrCl3粉末和KCl粉末，将SiO2/Si基底放置于所述Cr源的正上方；S2、通入氩氢混合载气，加热到达所述Te源和所述Cr源的挥发温度，并恒温生长，化学气相沉积得到Te‑Cr2O3/Cr5Te6二维磁性异质结。本发明的制备方法能够得到高质量、空气稳定且优异交换偏置性能的二维反铁磁/铁磁异质结，其对自旋电子器件的应用具有推动意义。