Patent search ap:("长沙半导体技术与应用创新研究院") AND inv:"何坤" Page 1

1.

发明公开
一种磁隧穿结及其制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN119894355A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510062647.5

申请日：2025-01-15

Applicant: 长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 黎博 , 何坤 , 段曦东

IPC: H10N50/85 , H10N50/20 , H10N50/10 , H10N50/01 , H10B61/00

Abstract: 本发明涉及一种磁隧穿结及其制备方法。该磁隧穿结包括依次堆叠的Cr3Te4层、WS2层和Fe3GeTe2层，所述WS2层的厚度≤4.2nm。本发明的磁隧穿结的IV输出曲线在0‑1V的电压作用下呈现直线，该磁隧穿结工作时具有较小的电阻面积(RA)＜400kΩ·μm2。

Patent Agency Ranking