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公开(公告)号：CN117012739A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310949906.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种具有散热结构的功率模块，散热结构包括散热器；所述散热器内底面上形成第一冷却区域、第二冷却区域，键合线的位于芯片上表面的每个跟脚在散热器内底面的投影均位于第二冷却区域；第一冷却区域中在第二方向相邻设置的两个第一隔板之间形成第一冷却液通道；第二冷却区域中在第二方向上相邻的两个凸起结构之间形成第二冷却液通道；w2/L2≥w1/L1，w2≤w1，L2≤L1/2，L1为所述第一隔板在第二方向上的尺寸，L2为所述凸起结构在第二方向上的尺寸；w1为所述第一冷却液通道的宽度，w2为所述第二冷却液通道的宽度；所述散热器的外壳还开设有冷却液入口、冷却液出口。
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公开(公告)号：CN116154801A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211455330.0
申请日：2022-11-21
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种电声换能器自适应宽带匹配控制方法及装置。电声换能器自适应宽带匹配控制方法包括：构建闭环控制系统，Iac_ref(s)经过比例控制器后得到前馈电压参考值；Iac_ref(s)减去Iac(s)后得到的电流误差信号△Iac经过PR控制器后得到的结果与前馈电压参考值相加，相加的结果作为信号波输出到PWM调制模块，PWM调制模块的输出端与单相全桥逆变器(30)开关管的控制端电连接；方法还包括：将电声换能器的工作频带划分为n个子频带，若判断角频率属于某个子频带，则将PR控制器的参数调整为与该子频带对应的PR控制器的参数；矩阵M1、M2、……、Mn互不相同。
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公开(公告)号：CN115441962A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211071634.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H04B13/02 , H04L25/02 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供一种用于电声换能器的非福斯特宽带匹配控制方法及控制装置，所述非福斯特宽带匹配控制方法包括：构建闭环控制系统，输出电流参考值经过比例控制器后得到参考电流前馈值，输出电流参考值减去功率放大器输出电流后的相减结果经过PR控制器后得到的结果与参考电流前馈值相加，相加的结果输入单相全桥逆变器，得到单相全桥逆变器的输出电压。在电声换能器的第一集中参数模型中，第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联在电声换能器的两个驱动端之间；所述等效电感模型是由非线性电感模型和非线性电阻模型相互串联构成的涡流阻抗模型。
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公开(公告)号：CN115186592A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210845323.5
申请日：2022-07-19
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: G06F30/27 , G06K9/62 , G06N3/04 , G06Q10/04 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在功率循环条件运行下的功率半导体器件的使用寿命影响因素；由所述影响因素构建训练数据集，并对训练数据集中的数据进行规范化处理，利用规范化处理后的训练数据集训练深度卷积神经网络，得到寿命预测模型。本发明考虑到特征参数对使用寿命的单独和相互影响，产生了更准确的预测结果。
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公开(公告)号：CN115186556A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210845325.4
申请日：2022-07-19
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: G06F30/23 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种热阻抗模型建模及结温估计方法、计算机设备及存储介质。功率模块热阻抗模型建模方法包括：建立功率模块的有限元热仿真模型；根据有限元热仿真模型的仿真结果得到HA×PA个第一求和值；在oxyz坐标系中得到HA×PA个坐标点，从而得到三维曲面；将三维曲面映射到o1x1y1坐标系中，得到第一映射结果，且形成第NA条连线；在将第一虚拟线段划分得到的第n个子线段上取第n个特征坐标点；建立功率模块的热阻抗模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115441962B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211071634.7
申请日：2022-09-02
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: H04B13/02 , H04L25/02 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供一种用于电声换能器的非福斯特宽带匹配控制方法及控制装置，所述非福斯特宽带匹配控制方法包括：构建闭环控制系统，输出电流参考值经过比例控制器后得到参考电流前馈值，输出电流参考值减去功率放大器输出电流后的相减结果经过PR控制器后得到的结果与参考电流前馈值相加，相加的结果输入单相全桥逆变器，得到单相全桥逆变器的输出电压。在电声换能器的第一集中参数模型中，第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联在电声换能器的两个驱动端之间；所述等效电感模型是由非线性电感模型和非线性电阻模型相互串联构成的涡流阻抗模型。
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公开(公告)号：CN115460509B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211071042.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种利用非线性非福斯特系统的电声换能器带宽拓宽方法，所述电声换能器带宽拓宽方法包括：计算单相全桥逆变器的调制度m’、调制相角θ；在输入阻抗为感性的电声换能器的第一集中参数模型中，第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联在电声换能器的两个驱动端之间；所述等效电感模型是由非线性电感模型和非线性电阻模型相互串联构成的涡流阻抗模型；所述电抗模型、电阻模型相互串联的结构与将第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联的结构为等效结构。
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公开(公告)号：CN115994464A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211579932.7
申请日：2022-12-09
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
IPC: G06F30/23 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种基于焊料层裂纹长度扩展的功率器件剩余寿命预测方法及系统，所述剩余寿命预测方法包括：建立有限元二维模型/有限元三维模型；将所述有限元二维模型/有限元三维模型中的芯片焊料层模型均分为K个单元格；依次执行第1老化阶段、第2老化阶段、……、第S+1老化阶段，得到第k老化阶段完成时刻功率器件的结壳热阻；焊料层裂纹长度随着失效的单元格数量增加而增大；实时监测实际试验中功率器件的功率循环次数、与功率循环次数对应的功率器件的结壳热阻，判断当前功率器件的结壳热阻属于哪个区间，再利用相应的公式计算从当前监测结壳热阻的时刻到芯片焊料层失效所需的功率循环次数。
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公开(公告)号：CN115460509A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211071042.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种利用非线性非福斯特系统的电声换能器带宽拓宽方法，所述电声换能器带宽拓宽方法包括：计算单相全桥逆变器的调制度m’、调制相角θ；在输入阻抗为感性的电声换能器的第一集中参数模型中，第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联在电声换能器的两个驱动端之间；所述等效电感模型是由非线性电感模型和非线性电阻模型相互串联构成的涡流阻抗模型；所述电抗模型、电阻模型相互串联的结构与将第一静态等效电阻、等效电感模型与第一振动系统等效电路结构相互串联的结构为等效结构。
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公开(公告)号：CN115765399A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211569894.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层、绝缘层、第一铜层；绝缘层上开设有凹槽，凹槽中容纳有线圈；环形结构的高度小于凹槽高度，线圈与第二铜层之间设置有绝缘材料；功率模块还包括第一电阻、第一电容；线圈与第一电阻、第一电容相互串联在第一回路中；第二铜层上设置有第一碳化硅MOSFET芯片、第二碳化硅MOSFET芯片、第二电容，第一碳化硅MOSFET芯片具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第二碳化硅MOSFET芯片具有第二栅极、第二源极、第二漏极；第一源极与第二漏极电连接，第一漏极、第二源极之间电连接有第二电容。
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