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公开(公告)号：CN104603952B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380036099.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 昆南诺股份有限公司
IPC: H01L29/885 , B82Y10/00 , H01L29/06 , H01L31/0693
CPC classification number: H01L27/0629 , B82Y10/00 , H01L29/0669 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/122 , H01L29/205 , H01L29/517 , H01L29/66977 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/78642 , H01L29/885 , H01L31/035227 , H01L31/06 , H01L31/068 , H01L31/0687 , Y02E10/50
Abstract: 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102971452B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180034310.X
申请日：2011-05-11
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: C30B25/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/42 , C30B29/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成线(1)的方法和系统，其使得能够大规模过程以及具有与使用基于基底的合成所形成的线相当的高结构复杂性和材料品质。在反应器内线(1)由悬浮于气体中的催化种子颗粒(2)生长。由于模块方法，在连续过程中可形成具有不同构造的线(1)。监测和/或分类颗粒和/或形成的线的原位分析使得能够进行有效的过程控制。
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公开(公告)号：CN106206780A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610640931.7
申请日：2008-06-19
Applicant: 昆南诺股份有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735
CPC classification number: H01L31/0547 , G02B6/0096 , H01L29/885 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 根据本发明的太阳能电池结构包含构成该太阳能电池结构的光吸收部分的纳米线(205)以及包围该纳米线(205)的至少一部分的钝化壳含光导壳(210)，其优选地具有高的且间接的带隙以提供光导特性。在本发明的第二方面，太阳能电池结构包含多根纳米线，以相邻纳米线之间的最大间距定位所述多根纳米线，该最大间距比所述太阳能电池结构打算要吸收的光的波长短，以便为光吸收提供有效介质。归功于本发明，有可能提供高效率的太阳能电池结构。(209)。在本发明的第一方面，该钝化壳(209)包
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公开(公告)号：CN104205294A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380019885.3
申请日：2013-02-12
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/30612 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/085 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/0676 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/78642 , H01L29/78681 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 使用基于GaN的纳米线来生长具有c平面顶面的高质量的分立底座元件，以制作各种半导体器件，诸如用于功率电子器件的二极管和晶体管。
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公开(公告)号：CN101595565B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200780042242.5
申请日：2007-09-18
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/125 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/7828 , H01L29/78642 , H01L33/24 , Y10S977/888 , Y10S977/89
Abstract: 本发明涉及在垂直半导体器件(1)的垂直和水平表面(15，20)上提供不同厚度的层。具体地本发明涉及在包括衬底(10)和基本上从衬底竖起的伸长的结构(5)的半导体结构中的栅电极和精密层(28)的形成。根据本发明的方法，器件(1)的垂直几何形状与沉积材料的各向异性沉积或各向异性去除结合使用以形成具有非常高精密度的垂直或水平层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101595565A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780042242.5
申请日：2007-09-18
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/125 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/775 , H01L29/7828 , H01L29/78642 , H01L33/24 , Y10S977/888 , Y10S977/89
Abstract: 本发明涉及在垂直半导体器件(1)的垂直和水平表面(15，20)上提供不同厚度的层。具体地本发明涉及在包括衬底(10)和基本上从衬底竖起的伸长的结构(5)的半导体结构中的栅电极和精密层(28)的形成。根据本发明的方法，器件(1)的垂直几何形状与沉积材料的各向异性沉积或各向异性去除结合使用以形成具有非常高精密度的垂直或水平层。
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公开(公告)号：CN107090593A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710173361.X
申请日：2011-05-11
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: C30B25/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/42 , C30B29/62
Abstract: 本申请涉及线的气相合成。本发明提供一种用于形成线(1)的方法和系统，其使得能够大规模过程以及具有与使用基于基底的合成所形成的线相当的高结构复杂性和材料品质。在反应器内线(1)由悬浮于气体中的催化种子颗粒(2)生长。由于模块方法，在连续过程中可形成具有不同构造的线(1)。监测和/或分类颗粒和/或形成的线的原位分析使得能够进行有效的过程控制。
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公开(公告)号：CN103443023B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280016657.6
申请日：2012-02-01
Applicant: 昆南诺股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于操纵带电分子的纳米线设备，包括：管状纳米线，具有贯穿通道；多个可个别寻址的围栅电极，布置于所述管状纳米线周围，并且在每两个相邻围栅电极之间具有间距；以及，用于将围栅电极连接到电压源的装置。本发明还涉及一种包括至少一个纳米线设备的纳米线系统，以及一种用于操纵在管状纳米线的贯穿通道内的带电分子的方法。
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公开(公告)号：CN104508825A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380041865.6
申请日：2013-06-05
Applicant: 昆南诺股份有限公司
IPC: H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/775 , G01N27/414 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/10
CPC classification number: H01L21/02609 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L29/0676 , H01L29/1029 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , Y10S977/762 , Y10S977/89
Abstract: 本发明涉及一种制造适于转移到非晶体层的结构的方法。所述方法包括以下步骤：提供具有晶体取向的衬底；在所述衬底上提供多个细长纳米结构（纳米线），所述纳米结构从衬底延伸，从而使得由每一个纳米结构的细长轴与衬底的表面法线定义的角度小于55度；沉积至少一个材料层，从而使得由所述材料覆盖衬底的至少被暴露出的区段；去除衬底，从而使得沉积层变为最底层；以及暴露出所述多个纳米结构当中的相应纳米结构的至少末端。本发明还涉及利用所述方法制造的结构。
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公开(公告)号：CN102255018B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110235696.2
申请日：2007-12-22
Applicant: 昆南诺股份有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G02B6/107 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及带有直立式纳米线结构的LED及其制作方法。本发明涉及发光二极管LED。具体而言，本发明涉及包括作为有源部件的纳米线的LED。根据本发明的纳米结构化LED包括基片和从该基片突出的直立式纳米线。提供有源区(120)以产生光的pn结存在于该结构内。纳米线(110)或由纳米线形成的结构形成波导(116)，以将有源区中产生的光的至少一部分定向到由纳米线(110)给定的方向。
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