公开(公告)号：CN101595565B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200780042242.5

申请日：2007-09-18

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J·奥尔森 ,  L·萨缪尔森 ,  E·林德 ,  L·-E·沃纳森 ,  T·洛格伦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L33/00 ,  C30B29/60 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/78642 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明涉及在垂直半导体器件(1)的垂直和水平表面(15，20)上提供不同厚度的层。具体地本发明涉及在包括衬底(10)和基本上从衬底竖起的伸长的结构(5)的半导体结构中的栅电极和精密层(28)的形成。根据本发明的方法，器件(1)的垂直几何形状与沉积材料的各向异性沉积或各向异性去除结合使用以形成具有非常高精密度的垂直或水平层。

公开(公告)号：CN101595565A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200780042242.5

申请日：2007-09-18

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J·奥尔森 ,  L·萨缪尔森 ,  E·林德 ,  L·-E·沃纳森 ,  T·洛格伦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L33/00 ,  C30B29/60 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/78642 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明涉及在垂直半导体器件(1)的垂直和水平表面(15，20)上提供不同厚度的层。具体地本发明涉及在包括衬底(10)和基本上从衬底竖起的伸长的结构(5)的半导体结构中的栅电极和精密层(28)的形成。根据本发明的方法，器件(1)的垂直几何形状与沉积材料的各向异性沉积或各向异性去除结合使用以形成具有非常高精密度的垂直或水平层。