公开(公告)号：CN104508825A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380041865.6

申请日：2013-06-05

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  J.特根菲尔德 ,  I.埃贝里 ,  D.阿索利

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  G01N27/414 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02609 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明涉及一种制造适于转移到非晶体层的结构的方法。所述方法包括以下步骤：提供具有晶体取向的衬底；在所述衬底上提供多个细长纳米结构（纳米线），所述纳米结构从衬底延伸，从而使得由每一个纳米结构的细长轴与衬底的表面法线定义的角度小于55度；沉积至少一个材料层，从而使得由所述材料覆盖衬底的至少被暴露出的区段；去除衬底，从而使得沉积层变为最底层；以及暴露出所述多个纳米结构当中的相应纳米结构的至少末端。本发明还涉及利用所述方法制造的结构。