公开(公告)号：CN104508825A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380041865.6

申请日：2013-06-05

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  J.特根菲尔德 ,  I.埃贝里 ,  D.阿索利

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  G01N27/414 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02609 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89

Abstract: 本发明涉及一种制造适于转移到非晶体层的结构的方法。所述方法包括以下步骤：提供具有晶体取向的衬底；在所述衬底上提供多个细长纳米结构（纳米线），所述纳米结构从衬底延伸，从而使得由每一个纳米结构的细长轴与衬底的表面法线定义的角度小于55度；沉积至少一个材料层，从而使得由所述材料覆盖衬底的至少被暴露出的区段；去除衬底，从而使得沉积层变为最底层；以及暴露出所述多个纳米结构当中的相应纳米结构的至少末端。本发明还涉及利用所述方法制造的结构。

公开(公告)号：CN104603952A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380036099.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： L-E.维尔纳松 ,  E.林德 ,  J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  M.比约克 ,  C.舍兰德 ,  A.迪

IPC: H01L29/885 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0693

CPC classification number: H01L27/0629 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/885 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

Abstract: 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。

公开(公告)号：CN104379261A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380031445.X

申请日：2013-04-16

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J.奥尔松 ,  M.比约尔克

IPC: B01L3/00 ,  G01N33/48 ,  G01N27/00 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B01L3/502761 ,  B01L7/525 ,  B01L2200/0652 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/10 ,  B01L2300/0838 ,  B01L2300/0893 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/0421 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/686 ,  C12Q1/6869 ,  G01N27/44791 ,  G01N33/54366

Abstract: 一种装置包括至少一个纳米级毛细管和用于施加电压的器件，所述器件适于在施加所述电压时在至少所述毛细管中形成电场，使得当施加所述电压时，放置于形成的电场内的带电分子或粒子能被电控制。一种流体网络结构包括至少一个纳米级毛细管。本发明还描述了使用和制造流体网络结构的方法。

公开(公告)号：CN104603952B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380036099.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： L-E.维尔纳松 ,  E.林德 ,  J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  M.比约克 ,  C.舍兰德 ,  A.迪

IPC: H01L29/885 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0693

CPC classification number: H01L27/0629 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/885 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

Abstract: 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。

公开(公告)号：CN104205294A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380019885.3

申请日：2013-02-12

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J.奥尔松 ,  M.比约克

IPC: H01L21/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/30612 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 使用基于GaN的纳米线来生长具有c平面顶面的高质量的分立底座元件，以制作各种半导体器件，诸如用于功率电子器件的二极管和晶体管。