公开(公告)号：CN104603952A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380036099.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： L-E.维尔纳松 ,  E.林德 ,  J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  M.比约克 ,  C.舍兰德 ,  A.迪

IPC: H01L29/885 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0693

CPC classification number: H01L27/0629 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/885 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

Abstract: 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。

公开(公告)号：CN104603952B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380036099.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： L-E.维尔纳松 ,  E.林德 ,  J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  M.比约克 ,  C.舍兰德 ,  A.迪

IPC: H01L29/885 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0693

CPC classification number: H01L27/0629 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/885 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

Abstract: 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。

公开(公告)号：CN104205294A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380019885.3

申请日：2013-02-12

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： J.奥尔松 ,  M.比约克

IPC: H01L21/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/30612 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 使用基于GaN的纳米线来生长具有c平面顶面的高质量的分立底座元件，以制作各种半导体器件，诸如用于功率电子器件的二极管和晶体管。