-
公开(公告)号：CN114707011B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210213429.3
申请日：2022-03-04
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G06F18/25 , G06F18/2431 , G06N3/0455 , G06N3/084 , G06N3/048
摘要： 本发明涉及一种基于张量分解的多源异构数据特征融合方法，包括以下步骤：构建张量异构数据分层融合模型；采用所述张量异构数据分层融合模型对所述多源异构数据进行特征融合，其中，张量异构数据分层融合模型采用了张量分解模块和张量稀疏自编码器网络，张量分解模块用于初步提取异构数据间关联的低维潜在特征，张量稀疏自编码器网络再次对关联特征进行特征提取，并利用克罗内克积运算融合不同张量子空间的关联数据特征，通过多层融合，得到最终的融合特征。本发明能够提高分类准确率。
-
公开(公告)号：CN114418485B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202111644218.7
申请日：2021-12-29
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G06Q10/083 , G06Q10/0631
摘要： 本发明涉及一种面向物流资源共享的末端配送人员共享方法和装置，方法包括：步骤(1)：获取即将到达城市末端不同配送站点的快件信息，其中，所述不同配送站点为覆盖相同配送区域且属于不同快件物流公司的配送站点；步骤(2)：统计不同配送站点的配送人员数量Px和配送设备信息Qy；步骤(3)：基于所述快件信息、配送人员数量Px和配送设备信息Qy，将快件、配送人员和配送设备进行自适应分配。本发明能够有效实现配送站点的人员共享。
-
公开(公告)号：CN118800298A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410776784.0
申请日：2024-06-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 张江国家实验室
摘要： 本发明涉及一种相变存储器自适位线钳位高速数据读出电路及方法，其中，读出电路包括：自适应预充电控制电路、预充电支路、钳位电路、参考单元、目标相变存储单元和比较电路。其中，自适应预充电控制电路用于根据读脉冲信号、钳位电路的第一输出信号和钳位电路的第二输出信号自适应控制预充电信号PRC的状态；所述预充电支路根据所述预充电信号PRC对目标位线BL和参考位线BLB进行预充电；比较电路与所述钳位电路相连，用于将所述目标位线BL和参考位线BLB的电压进行比较，并输出读电压信号。本发明能够改善现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度。
-
公开(公告)号：CN115046633B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210532621.9
申请日：2022-05-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01J3/02
摘要： 本发明涉及一种自参考太赫兹双光梳系统，包括：第一光频梳、第二光频梳、T型偏置器和分波器；第一光频梳发出的光信号经过自由空间耦合进入第二光频梳的谐振腔中，并与第二光频梳拍频产生双光梳信号；T型偏置器用于获取由第二光频梳的自探测机制得到的双光梳信号；分波器用于将双光梳信号分成两路双光梳信号，第一路双光梳信号通过梳齿提取装置提取出一根梳齿后进入混频器的LO端口，第二路双光梳信号直接进入混频器的RF端口；混频器用于将双光梳信号与提取出的一根梳齿进行混频，并向频谱分析仪输出混频后的自参考双光梳信号；频谱分析仪用于实时检测得到的自参考双光梳信号。本发明能够获得高稳定的双光梳光谱。
-
公开(公告)号：CN118783917A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410910597.7
申请日：2024-07-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种谐振器，包括衬底，所述衬底上形成有二氧化硅层，由所述二氧化硅层向上依次形成有若干压电单元，顶层所述压电单元上设有顶电极；每个所述压电单元包括中间电极和置于所述中间电极之上的压电薄膜，通过将不同所述压电单元的中间电极作为底电极，并在所述顶电极和所述底电极之间施加交流电信号来使谐振器工作在不同频率。本发明能够实现BAW谐振器的高阶谐振以及不同工作频率的调控。
-
公开(公告)号：CN118782638A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410851399.8
申请日：2024-06-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L29/51 , H01L21/316 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件，通过在单晶石墨烯/锗(110)衬底上范德华(vdW)外延单晶Al薄膜，将所述单晶Al薄膜从石墨烯/锗衬底上剥离并进行插层氧化，在所述单晶Al薄膜的下表面生成与二维材料兼容的单晶Al2O3介质。本发明得到的单晶Al2O3介质的栅极漏电流(J
-
公开(公告)号：CN118708729A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410760186.4
申请日：2024-06-13
申请人： 上海脸谱心智智能科技有限公司
发明人： 陆弘远
摘要： 本发明涉及一种基于思维链骨架的大语言模型内容生成方法和装置，其中，方法包括：采用空格代替思维链中的具体内容得到思维链骨架，并将思维链骨架存储至思维链知识库中；获取用户的查询内容；将查询内容输入模型推理框架，生成关于查询内容的推理结果；其中，模型推理框架包括：取出模块，用于从思维链知识库中取出思维链骨架；判断模块，用于判断思维链骨架是否适用于查询内容；思维链骨架生成模块，用于在思维链骨架不适用于查询内容时，生成与思维链骨架不同的新思维链骨架；输出模块，用于在思维链骨架适用于查询内容时，采用思维链骨架生成关于查询内容的推理结果。本发明能够提升大语言模型的推理能力以及推理速度。
-
公开(公告)号：CN118707714A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843179.0
申请日：2024-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B27/00
摘要： 本发明涉及一种光学相控阵优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定全部所述光学相控阵的阵元间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为个体位置，利用粒子群优化算法求解获得最优阵元间距序列，使所述光学相控阵在预设扫描范围内实现高旁瓣抑制比的主光束扫描。本发明在优化过程中考虑到实际场景中主光束发生偏转时受方向因子而减弱的影响，使优化后的非周期相控阵在预设扫描范围内拥有较低的旁瓣水平。
-
公开(公告)号：CN118678364A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410591673.2
申请日：2024-05-13
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H04W16/14
摘要： 本发明涉及一种实时频谱感知方法及系统。其中，实时频谱感知方法包括以下步骤：实时获取目标频段的信号采样数据，并将信号表示为包含若干采样样本的复向量；通过计算所述目标频段信号的自相关系数来生成近似协方差矩阵；使用子空间迭代的数值逼近方法求解获得所述近似协方差矩阵的全部特征值；判断最大特征值是否大于判决门限，如果大于则所述目标频段内存在未知信号。本发明的轻量化算法具备ASIC化能力，且无需导频或前导码信息也无需上层协议提供“静默期”，就可以实现非合作信号的检测，减少了网络协调的负担。
-
公开(公告)号：CN118645532A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410782692.3
申请日：2024-06-18
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法，所述分裂栅MOSFET器件包括：漏极(1)、N+衬底(2)、N‑外延层(3)、电流扩展层(4)、P2区(5)、P1区(6)、P+区(7)、N+区(8)、JFET区(9)、栅氧化层(10)、栅极(11)、SiO2层间介质(12)、源极(13)。本发明不仅可以屏蔽栅氧电场，增强栅氧可靠性，还可以提高器件UIS耐量，而且工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1532 条记录 (耗时 0.059 秒)
