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公开(公告)号：CN118645532A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410782692.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种提高UIS能力和栅氧可靠性的分裂栅MOSFET器件及其制备方法，所述分裂栅MOSFET器件包括：漏极(1)、N+衬底(2)、N‑外延层(3)、电流扩展层(4)、P2区(5)、P1区(6)、P+区(7)、N+区(8)、JFET区(9)、栅氧化层(10)、栅极(11)、SiO2层间介质(12)、源极(13)。本发明不仅可以屏蔽栅氧电场，增强栅氧可靠性，还可以提高器件UIS耐量，而且工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。
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