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公开(公告)号：CN105789324A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610236910.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01L9/08
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L29/786 , H01L31/02005 , H01L31/02164 , H01L31/03762 , H01L31/202 , G01L9/08 , H01L29/66742
Abstract: 一种传感器及其制造方法、电子设备，该传感器包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层中设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；导电层，设置于所述第一过孔中和部分所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述源极电连接；偏压电极，设置于所述第一绝缘层上且与所述导电层分离；传感有源层，分别与所述导电层和所述偏压电极连接；以及辅助导电层，设置于所述导电层上。该传感器及其制造方法，在不增加工序的情况下，在导电层上设置辅助导电层，提高了导通能力，保证信号的正常传输。
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公开(公告)号：CN105336752A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410284272.9
申请日：2014-06-23
Applicant: 上海箩箕技术有限公司
Inventor： 林崴平
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
CPC classification number: H01L31/03682 , G06K9/0002 , G06K9/00053 , H01L27/14678 , H01L27/14692 , H01L31/02164 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/03762
Abstract: 一种面阵传感器装置及其形成方法，面阵传感器装置包括：驱动电路和传感器电路，驱动电路和传感器电路形成在同一个衬底表面上，所述传感器电路包括由像素单元组成的像素单元阵列和连接所述像素单元的驱动线，所述驱动电路的输出端连接所述传感器电路的驱动线，所述驱动电路包括第一晶体管，所述像素单元包括第二晶体管；所述第一晶体管包括第一遮挡层，第二晶体管包括第二遮挡层。本发明技术方案的面阵传感器装置，驱动电路与传感器电路的器件可以制作在同一个衬底上，减小了占用面积，提高了可靠性，并且形成过程可以同步进行，无需增加额外工艺步骤。
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公开(公告)号：CN104781721A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380058876.5
申请日：2013-10-31
Applicant: 赫普塔冈微光有限公司
IPC: G02B27/00 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , G02B27/0025 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02162 , H01L31/02164 , H01L31/02325 , H01L31/18 , H04N5/2254 , Y10T29/49826 , H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 制造光学装置可包括将多个单切透镜系统安装于衬底之上；调整所述衬底在至少一些所述透镜系统下方的厚度，以提供用于所述透镜系统的相应焦距校正；以及随后将所述衬底分成多个光学模块，所述光学模块中的每一个包括被安装于所述衬底的一部分之上的所述透镜系统中的一个。调整所述衬底的厚度可包括例如微机械加工所述衬底以在至少一些所述透镜系统下方形成相应孔洞，或在至少一些所述透镜系统下方添加一或多个层，以便校正所述透镜系统的焦距的变化。
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公开(公告)号：CN104347748A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310316323.7
申请日：2013-07-25
Applicant: 深圳新飞通光电子技术有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/02164 , H01L31/035272
Abstract: 本发明提供的一种光接收应用的PIN光电探测器芯片，包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极，所述的外延片自n型InP半导体衬底上连续生长：n型InP缓冲层；i型InGaAs吸收层；n型InP过渡层；n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族顶层，所述n型InP过渡层中心设有掺杂光敏区和掺杂保护环；位于所述n型InP过渡层上表面依序设有钝化膜层及增透过渡薄膜层；该增透过渡薄膜层的部分表面设有p型电极金属层；另一部分设有绝缘层；该绝缘层表面设有金属遮光层；增透薄膜层设于所述金属遮光层、绝缘层和掺杂光敏区上表面。非光源吸收区的区域采用了金属遮光层和掺杂保护环设计，阻止杂散光产生的光电流进入芯片光电流回路中，从而光信号串扰大大减小。
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公开(公告)号：CN102250506B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110092118.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 凯博瑞奥斯技术公司
Inventor： 乔纳森·S·阿尔登 , 代海霞 , 迈克尔·R·科纳珀 , 那朔 , 哈什·帕克巴滋 , 弗络瑞恩·普舍尼茨卡 , 希娜·关 , 迈克尔·A·斯贝德 , 艾德里安·维诺托 , 杰弗瑞·沃克
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/0025 , B22F2998/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C03C17/007 , C03C17/008 , C03C2217/445 , C03C2217/479 , C09D11/52 , C23F11/02 , C30B7/02 , C30B29/02 , C30B29/60 , C30B33/00 , G02F1/13439 , H01L27/14623 , H01L31/02164 , H01L31/022466 , H01L2224/45139 , H01L2224/49175 , H01L2924/00011 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , H05K1/0269 , H05K1/097 , H05K3/048 , H05K2201/0145 , H05K2201/0154 , H05K2201/026 , H05K2201/10128 , H05K2203/1545 , Y10S977/762 , H01L2924/00 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039
Abstract: 本发明描述了一种透明导体，其包括涂覆在衬底上的传导层。更具体地，传导层包括可嵌在基质中的纳米线的网络。传导层是光学透明的，并且是柔性的。传导层可涂覆或层压到多种衬底上，包括柔性的和刚性的衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270647B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010504411.6
申请日：2010-10-11
Applicant: 采钰科技股份有限公司 , 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L31/0216 , H01L31/02164 , H01L31/02165
Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其形成方法。该方法包含：提供一透镜；形成一第一牺牲单元于透镜之上；形成一电磁干扰层于透镜及第一牺牲单元之上；移除第一牺牲单元及部分形成于第一牺牲单元上的电磁干扰层，以形成一具有一开口的电磁干扰图案，开口露出该透镜的一选择部分；形成一第二牺牲单元于开口之内以覆盖透镜的选择部分的一中央区域，且仍露出透镜的选择部分的一周围区域；形成一遮光层于该电磁干扰图案、该第二牺牲单元、该透镜的选择部分的该周围区域之上；移除该第二牺牲单元及该第二牺牲单元之上的该遮光层，以露出该透镜的选择部分的该中央区域作为一透光区。本发明不会发生传统电磁干扰图案所产生的问题于图像感测装置的透光区。
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公开(公告)号：CN101847587B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010139971.6
申请日：2010-03-24
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 斯瓦尔纳·博尔塔库尔 , 马克·苏尔弗里奇
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L27/1469 , H01L31/02164 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置及用于在半导体装置上形成经图案化辐射阻挡的方法。本发明中揭示半导体装置及用于形成半导体装置的方法的数个实施例。一个实施例针对一种用于制造具有裸片的微电子成像器的方法，所述裸片包含图像传感器、电耦合到所述图像传感器的集成电路及电耦合到所述集成电路的电连接器。所述方法可包括用辐射阻挡层覆盖所述电连接器及穿过所述辐射阻挡层上的光致抗蚀剂层形成与所述电连接器对准的孔口。所述辐射阻挡层不是光致反应的，使得无法使用辐射对其进行图案化。所述方法进一步包含穿过所述光致抗蚀剂层的所述孔口在所述辐射阻挡层中蚀刻开口。
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公开(公告)号：CN102800735A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210153336.2
申请日：2012-05-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105 , H01L27/14663 , H01L31/02164
Abstract: 本发明涉及光电转换元件和光电转换装置。所述光电转换元件包括：设置在基板上的第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在比所述第一半导体层高的层中；第三导电型的第三半导体层，所述第三半导体层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且所述第三半导体层的电导率低于所述第一半导体层和所述第二半导体层；以及遮光层，所述遮光层设置在所述基板和所述第一半导体层之间。本发明的光电转换元件能使光学噪声的影响降低。
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公开(公告)号：CN102282480A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004505.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14623 , H01L27/14658 , H01L31/02164 , H01L31/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 由在一个面(11)侧设置有排列有检测入射的X射线的多个检测像素的X射线检测部且另一个面(12)成为X射线入射面的背面入射型的固体摄像元件(10)以及设置于摄像元件(10)的入射面(12)上且用于波长比成为检测对象的X射线长的光的遮蔽的遮蔽层(20)构成X射线摄像装置(1)。遮蔽层(20)具有直接设置于入射面(12)上的第1铝层(21)、设置于第1铝层(21)上的第2铝层(22)、以及设置于第1、第2铝层(21、22)之间且用于紫外光的遮蔽的紫外光遮蔽层(25)。由此，实现了可以抑制X射线检测中的噪声光的检测的影响的X射线摄像装置。
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公开(公告)号：CN102270647A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010504411.6
申请日：2010-10-11
Applicant: 采钰科技股份有限公司 , 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L31/0216 , H01L31/02164 , H01L31/02165
Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其形成方法。该方法包含：提供一透镜；形成一第一牺牲单元于透镜之上；形成一电磁干扰层于透镜及第一牺牲单元之上；移除第一牺牲单元及部分形成于第一牺牲单元上的电磁干扰层，以形成一具有一开口的电磁干扰图案，开口露出该透镜的一选择部分；形成一第二牺牲单元于开口之内以覆盖透镜的选择部分的一中央区域，且仍露出透镜的选择部分的一周围区域；形成一遮光层于该电磁干扰图案、该第二牺牲单元、该透镜的选择部分的该周围区域之上；移除该第二牺牲单元及该第二牺牲单元之上的该遮光层，以露出该透镜的选择部分的该中央区域作为一透光区。本发明不会发生传统电磁干扰图案所产生的问题于图像感测装置的透光区。
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