Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置及用于在其上形成经图案化辐射阻挡的方法
- Patent Title (English): Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on semiconductor device
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Application No.: CN201010139971.6Application Date: 2010-03-24
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Publication No.: CN101847587BPublication Date: 2012-12-05
- Inventor: 斯瓦尔纳·博尔塔库尔 , 马克·苏尔弗里奇
- Applicant: 美光科技公司
- Applicant Address: 美国爱达荷州
- Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee: 美光科技公司
- Current Assignee Address: 美国爱达荷州
- Agency: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- Agent 沈锦华
- Priority: 12/410,343 2009.03.24 US
- Main IPC: H01L21/50
- IPC: H01L21/50 ; H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L27/146

Abstract:
本发明涉及半导体装置及用于在半导体装置上形成经图案化辐射阻挡的方法。本发明中揭示半导体装置及用于形成半导体装置的方法的数个实施例。一个实施例针对一种用于制造具有裸片的微电子成像器的方法,所述裸片包含图像传感器、电耦合到所述图像传感器的集成电路及电耦合到所述集成电路的电连接器。所述方法可包括用辐射阻挡层覆盖所述电连接器及穿过所述辐射阻挡层上的光致抗蚀剂层形成与所述电连接器对准的孔口。所述辐射阻挡层不是光致反应的,使得无法使用辐射对其进行图案化。所述方法进一步包含穿过所述光致抗蚀剂层的所述孔口在所述辐射阻挡层中蚀刻开口。
Public/Granted literature
- CN101847587A 半导体装置及用于在其上形成经图案化辐射阻挡的方法 Public/Granted day:2010-09-29
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IPC分类: