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公开(公告)号：CN105742238A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610119155.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L23/528 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/0274 , H01L21/3105 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/768 , H01L21/76816 , H01L27/1288 , H01L27/1443 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L21/77 , H01L23/528 , H01L27/12 , H01L2221/101
Abstract: 一种孔结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法、探测装置和显示装置。该孔结构的制作方法包括：利用掩模板的图形区对形成在衬底基板上的第一初始薄膜进行第一光刻工艺，以形成第一薄膜及位于第一薄膜中的第一孔；以及利用所述掩模板的所述图形区对覆盖所述第一薄膜的第二初始薄膜进行第二光刻工艺，以形成第二薄膜以及贯穿第二薄膜且与第一孔连通的第二孔，使在平行于所述衬底基板的预设方向上，第二孔具有的远离衬底基板的第二开口的尺寸大于其靠近衬底基板的第一开口的尺寸。该方法可满足X射线探测装置中对绝缘层的厚度和耐高压能力的要求并降低孔结构的制作难度。
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公开(公告)号：CN105720063B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610229060.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/14
Abstract: 一种阵列基板及其制备方法、传感器和探测设备。该阵列基板，包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极和有源层；钝化层，设置于所述薄膜晶体管上；第一金属层，设置于所述钝化层上；绝缘层，设置于所述第一金属层上；过孔结构，贯穿所述绝缘层、所述第一金属层和所述钝化层；检测单元，设置于所述绝缘层上，所述检测单元包括第二金属层；其中，所述第二金属层通过所述过孔结构与所述源极直接接触。在制作该结构的阵列基板的过程中，可在同一构图工艺中对第一金属层和钝化层进行构图，合并了制作工序，便于生产，同时节省了生产成本。
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公开(公告)号：CN109830563B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201910142562.2
申请日：2019-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 一种探测面板及其制作方法。该探测面板包括第一基板和第二基板，该第一基板包括光探测层；该第二基板包括驱动电路；该第一基板与该第二基板相对设置以对盒，该驱动电路与该光探测层耦接以读取该光探测层产生的感光信号。该探测面板通过将光探测层与驱动电路形成于不同的基板，有助于提高光探测层的平坦度，减少光探测层的缺陷，从而降低暗态漏电流、提高探测面板的性能。
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公开(公告)号：CN105789324B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610236910.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01L9/08
Abstract: 一种传感器及其制造方法、电子设备，该传感器包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层中设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；导电层，设置于所述第一过孔中和部分所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述源极电连接；偏压电极，设置于所述第一绝缘层上且与所述导电层分离；传感有源层，分别与所述导电层和所述偏压电极连接；以及辅助导电层，设置于所述导电层上。该传感器及其制造方法，在不增加工序的情况下，在导电层上设置辅助导电层，提高了导通能力，保证信号的正常传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789324A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610236910.9
申请日：2016-04-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01L9/08
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L29/786 , H01L31/02005 , H01L31/02164 , H01L31/03762 , H01L31/202 , G01L9/08 , H01L29/66742
Abstract: 一种传感器及其制造方法、电子设备，该传感器包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层中设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；导电层，设置于所述第一过孔中和部分所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述源极电连接；偏压电极，设置于所述第一绝缘层上且与所述导电层分离；传感有源层，分别与所述导电层和所述偏压电极连接；以及辅助导电层，设置于所述导电层上。该传感器及其制造方法，在不增加工序的情况下，在导电层上设置辅助导电层，提高了导通能力，保证信号的正常传输。
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公开(公告)号：CN109830563A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910142562.2
申请日：2019-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 一种探测面板及其制作方法。该探测面板包括第一基板和第二基板，该第一基板包括光探测层；该第二基板包括驱动电路；该第一基板与该第二基板相对设置以对盒，该驱动电路与该光探测层耦接以读取该光探测层产生的感光信号。该探测面板通过将光探测层与驱动电路形成于不同的基板，有助于提高光探测层的平坦度，减少光探测层的缺陷，从而降低暗态漏电流、提高探测面板的性能。
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公开(公告)号：CN105720063A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610229060.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L21/0273 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/32134 , H01L21/76802 , H01L23/3171 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78633 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/768 , H01L21/77 , H01L27/14
Abstract: 一种阵列基板及其制备方法、传感器和探测设备。该阵列基板，包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极和有源层；钝化层，设置于所述薄膜晶体管上；第一金属层，设置于所述钝化层上；绝缘层，设置于所述第一金属层上；过孔结构，贯穿所述绝缘层、所述第一金属层和所述钝化层；检测单元，设置于所述绝缘层上，所述检测单元包括第二金属层；其中，所述第二金属层通过所述过孔结构与所述源极直接接触。在制作该结构的阵列基板的过程中，可在同一构图工艺中对第一金属层和钝化层进行构图，合并了制作工序，便于生产，同时节省了生产成本。
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公开(公告)号：CN205508828U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620320460.7
申请日：2016-04-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01L9/08
Abstract: 一种传感器及电子设备，该传感器包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置在所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极；第一绝缘层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一绝缘层中设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；导电层，设置于所述第一过孔中和部分所述第一绝缘层上并通过所述第一过孔与所述源极电连接；偏压电极，设置于所述第一绝缘层上且与所述导电层分离；传感有源层，分别与所述导电层和所述偏压电极连接；以及辅助导电层，设置于所述导电层上。该传感器在不增加工序的情况下，在导电层上设置辅助导电层，提高了导通能力，保证信号的正常传输。
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公开(公告)号：CN205488128U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201620308002.1
申请日：2016-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor： 林家强
IPC: H01L27/12 , H01L21/768 , H01L27/14
Abstract: 一种阵列基板、传感器和探测设备。该阵列基板，包括：衬底基板；薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括源极和有源层；钝化层，设置于所述薄膜晶体管上；第一金属层，设置于所述钝化层上；绝缘层，设置于所述第一金属层上；过孔结构，贯穿所述绝缘层、所述第一金属层和所述钝化层；检测单元，设置于所述绝缘层上，所述检测单元包括第二金属层；其特征在于，所述第二金属层通过所述过孔结构与所述源极直接接触。在制作该结构的阵列基板的过程中，可在同一构图工艺中对第一金属层和钝化层进行构图，合并了制作工序，便于生产，同时节省了生产成本。
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